[發明專利]MOS管閾值擴展電路和閾值擴展方法

無效

• 申請號: 200710072227.7
• 申請日: 2007-05-21
• 公開（公告）號: CN101079618A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 劉瑩;方倩;方振賢
• 申請（專利權）人: 黑龍江大學
• 主分類號: H03K17/00
• 分類號: H03K17/00
• 代理公司: 哈爾濱市哈科專利事務所有限責任公司
• 代理人: 劉婭

1.一種MOS管閾值擴展電路，其特征在于它是由閾值鑒別器和反相器二部分組成，閾值鑒別器包括NMOS管G₁₀、PMOS管G₁₁和閾值鑒別器負載，反相器包括PMOS管G₁₂和NMOS管G₁₃；閾值鑒別器中NMOS管G₁₀和PMOS管G₁₁的源極相接，NMOS管G₁₀的漏極接直流電源V_DD，NMOS管G₁₀的柵極接外輸入In1，PMOS管G₁₁的柵極接外輸入In2，閾值鑒別器負載接在PMOS管G₁₁的漏極和地之間，PMOS管G₁₁的漏極為閾值鑒別器輸出，閾值鑒別器輸出接反相器輸入；反相器中NMOS管G₁₃的源極接地，PMOS管G₁₂的源極接另一直流電源V_D，PMOS管G₁₂和NMOS管G₁₃的二個柵極相連接為反相器輸入；PMOS管G₁₂和NMOS管G₁₃的二個漏極相連接為反相器輸出，閾值鑒別器的輸出V_out1接受控管G_T1的柵極，反相器的輸出V_out0接受控管G_T0的柵極。

2.根據權利要求1所述的一種MOS管閾值擴展電路，其特征在于：所述的外輸入In1為輸入電壓V_x，外輸入In2為參考電壓V_ref。

3.根據權利要求1所述的一種MOS管閾值擴展電路，其特征在于：所述的外輸入In1為參考電壓V_ref，外輸入In2為輸入電壓V_x。

4.根據權利要求1或2或3所述的一種MOS管閾值擴展電路，其特征在于：所述的閾值鑒別器負載為電阻R₁₀。

5.根據權利要求1或2或3所述的一種MOS管閾值擴展電路，其特征在于：所述的閾值鑒別器負載為電流源I₁₀。

6.一種MOS管閾值擴展方法，其特征在于：對于滿足權利要求2的一種MOS管閾值擴展電路結構，閾值鑒別器參數為V_extn1＝V_ref+V_tn+|V_tp|，其中V_ref為參考電壓，V_tn和V_tp各自為NMOS和PMOS管閾值電壓，滿足V_tn＞0，V_tp＜0，V_DD≥V_ref≥0；閾值鑒別器按參考電壓V_ref對信號輸入V_x進行鑒別，閾值鑒別器的輸出V_out1接受控管G_T1柵極，當V_x≥V_extn1時，V_out1產生正電壓控制受控管G_T1導通，使受控管G_T1擴展閾值的數值為V_extn1，受控管G_T1開啟性質保持不變；V_out1接反相器輸入，反相器輸出V_out0接受控管G_T0柵極，當V_x＜V_extn1時，V_out0產生正電壓控制受控管G_T0導通，受控管G_T0開啟性質改變；調節參考電壓V_ref來改變受控管G_T1擴展閾值的數值V_extn1。