[發(fā)明專利]一種改進的化學機械拋光方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710070433.4 | 申請日： | 2007-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN101116951A | 公開（公告）日： | 2008-02-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 許雪峰;馬冰迅;彭偉 | 申請（專利權）人： | 浙江工業(yè)大學 |
| 主分類號： | B24B29/00 | 分類號： | B24B29/00;H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 | 代理人： | 王兵;王利強 |
| 地址： | 310014*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改進 化學 機械拋光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改進的化學機械拋光方法，其特征在于：所述的拋光方法包括以下步驟：
(1)、配置拋光液：在拋光液中加入聚合物粒子，所述的聚合物粒子在拋光液中呈分散性，所述的聚合物粒子與拋光液的磨粒之間存在靜電力吸引，所述的聚合物粒子的粒徑比磨粒的粒徑大；
(2)、拋光：將拋光液輸送到拋光盤中，對載樣盤中的工件進行拋光，所述拋光盤采用硬質材料制成，所述的硬質材料與拋光液的化學物質無化學反應。
2.如權利要求1所述的一種改進的化學機械拋光方法，其特征在于：在所述的(2)中，拋光盤的表面粗糙度值與所述聚合物粒子的粒徑相適應。
3.如權利要求1或2所述的一種改進的化學機械拋光方法，其特征在于：所述的聚合物粒子為球形聚合物粒子。
4.如權利要求3所述的一種改進的化學機械拋光方法，其特征在于：所述的磨粒粒徑為納米級，所述的聚合物粒子的粒徑為微米級。
5.如權利要求4所述的一種改進的化學機械拋光方法，其特征在于：所述的硬質材料為玻璃、鑄鐵。
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