[發(fā)明專利]一種具有內(nèi)吸雜功能的摻鍺硅片及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710070401.4
• 申請(qǐng)日: 2007-07-30
• 公開（公告）號(hào): CN101165224A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊德仁;陳加和;馬向陽;闕端麟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B15/06
• 分類號(hào): C30B15/06;C30B33/02;C30B31/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.一種具有內(nèi)吸雜功能的摻鍺硅片，硅片的氧濃度為5～15×10¹⁷cm^-3，鍺濃度為1×10¹³～1×10²⁰cm^-3，其特征是潔凈區(qū)寬度為10～100μm，體微缺陷密度為1×10⁵～1×10¹⁰cm^-3。

2.權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)吸雜功能的摻鍺硅片的制備方法，其特征是步驟如下，以下各步驟均在氬氣或氮?dú)獾谋Ｗo(hù)下進(jìn)行：

1)將氧濃度為5～15×10¹⁷cm^-3，鍺濃度為1×10¹³～1×10²⁰cm^-3的摻鍺直拉硅單晶片，于快速熱處理爐中在1100～1300℃保溫5～100秒，然后以10～100℃/秒的降溫速率將硅片冷卻到室溫；

2)將經(jīng)步驟1)處理的硅片置于擴(kuò)散熱處理爐中，在600～900℃保溫4～50小時(shí)，然后以1～10℃/分鐘升溫速率將硅片升溫到1000～1200℃；

3)將經(jīng)步驟2)處理的硅片置于擴(kuò)散熱處理爐中，在1000～1200℃保溫4～30小時(shí)，以50～200℃/分鐘降溫速率將硅片冷卻到室溫。

3.權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)吸雜功能的摻鍺硅片的制備方法，其特征是步驟如下，以下各步驟均在氬氣或氮?dú)獾谋Ｗo(hù)下進(jìn)行：

1)將氧濃度為5～15×10¹⁷cm^-3，鍺濃度為1×10¹³～1×10²⁰cm^-3的摻鍺直拉硅單晶片，于快速熱處理爐中在1100～1300℃保溫5～100秒，然后以10～100℃/秒的降溫速率將硅片冷卻到室溫；

2)將經(jīng)步驟1)處理的硅片置于擴(kuò)散熱處理爐中，在1000～1200℃保溫4～30小時(shí)后，再以50～200℃/分鐘降溫速率將硅片冷卻到室溫。