[發明專利]一種銀氧化錫復合粉末的制備方法無效
| 申請號: | 200710070059.8 | 申請日: | 2007-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN101088680A | 公開(公告)日: | 2007-12-19 |
| 發明(設計)人: | 王尚軍;李巖 | 申請(專利權)人: | 王尚軍 |
| 主分類號: | B22F9/30 | 分類號: | B22F9/30;B22F1/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 復合 粉末 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電工材料領域,尤其涉及一種銀氧化錫復合粉末的制備方法。
背景技術
電觸點是低壓電器的核心部件之一,其工作特點要求觸點材料具有低電阻率、耐熔焊、抗電弧侵蝕、低溫升等特性。過去幾十年的經驗表明,銀氧化鎘具有最佳的綜合性能,因而占據了大量的市場分額。然而由于存在“鎘毒”的危害,禁用銀氧化鎘已成為一種趨勢。尤其在歐盟推出RoHS指令之后,無論科研機構還是相關的企業都加快了替代材料的研發步伐,其中最突出的就是銀氧化錫材料。
銀氧化錫的開發和應用也已經歷了幾十年,但批量化應用的主要是以熔煉-內氧化工藝制備的材料,由于該工藝必須使用一定量的稀散金屬銦導致其成本較高,且隨著電器性能的提高,其適用范圍也受到限制。粉末冶金法的銀氧化錫材料無需加銦,而且在抗熔焊、抗電弧侵蝕等方面具有一定的優勢,因此成為多年來研發的重點。但粉末冶金法制備的銀氧化錫加工性能較差,制約了其發展,尤其當氧化錫顆粒細小時加工變得愈加困難。為了解決該問題,近年來人們開發了多種新工藝,其中以化學包覆法(化學鍍銀法)和化學沉積法最為成功,具體的方法在國內專利CN1085346、CN1425782、國外專利US5846288、EP1142661等以及Umicore的科研人員發表的文章中都有報道。這兩種方法制備的銀氧化錫材料都具有均勻的組織分布,較好的加工性能,同時也各有其特點。化學鍍法制備的粉末容易清洗,后處理較為簡單,但化學鍍過程中通常都要使用大量氨水作為絡合劑,水合肼作為還原劑,操作環境差,污染較為嚴重。盡管國外報道了以抗壞血酸做還原劑的專利,但成本過高,規模化制備難度大。化學沉積法以碳酸鈉做沉淀劑,消除了氨水和水合肼的危害,粉末制備成本比化學鍍法大大下降,但所生成的碳酸銀粒度很細,其表面吸附的鈉離子等有害雜質很難去除,極大地影響了材料的加工性能和電性能。這也是其實際應用比化學鍍法少的主要原因之一。由此可見,開發新型的化學沉積工藝,解決粉末清洗的難題,使制備的材料具備良好的加工性能和使用性能,不但具有較大的經濟價值,而且具有積極的社會意義。
發明內容
本發明是提供一種銀氧化錫復合粉末的制備方法。
觸點材料用銀氧化錫復合粉末的液相化學制備方法包括如下步驟:
(1)將平均粒徑1μm的氧化錫粉末加入到濃度為90~350g/L的硝酸銀溶液中,加入重量百分比濃度為0.2~0.5%的高分子分散劑,超聲波分散30~60min,得到SnO2的懸浮液;
(2)邊攪拌SnO2的懸浮液邊加入濃度為50~200g/L的碳酸銨溶液,將銀離子以碳酸銀的形式沉積在SnO2上,繼續攪拌陳化1~2h,得到碳酸銀氧化錫沉淀,碳酸銨∶硝酸銀的摩爾比為1~1.1∶2,碳酸銨溶液的加入速度為0.2~0.8mol/min;
(3)將碳酸銀氧化錫沉淀真空抽濾分離,用去離子水清洗,至清洗出水的電導率為100μs/cm,分離所得沉淀在100~120℃烘干10~15h,得到銀氧化錫粉末的前驅體;
(4)將前驅體粉末在400~600℃溫度下焙燒處理2~4h,使碳酸銀轉化為純銀,得到銀氧化錫復合粉末。
高分子分散劑是聚乙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮或明膠。
本發明在保證材料具備較好綜合性能的前提下,為制備銀氧化錫復合粉末尋找一條新途徑,具有成本低、方法簡便、操作環境優良等優點。
附圖說明
圖1是觸點材料用銀氧化錫復合粉末的液相化學制備方法流程圖;
圖2是實施例3的前驅體粉末形貌;
圖3是實施例3的焙燒后的AgSnO2粉末。
具體實施方式
本發明實施的過程如下:
觸點材料用銀氧化錫復合粉末的液相化學制備方法包括如下步驟:
(1)將平均粒徑1μm的氧化錫粉末以10000轉/分的高速剪切乳化機剪切分散10~15min,使其處于良好的懸浮狀態,加入到濃度為90~350g/L的硝酸銀溶液中,再加入0.2~0.5%(質量分數)的高分子分散劑,超聲波分散30~60min,得到SnO2的懸浮液;高分子分散劑是聚乙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮或明膠。
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