[發明專利]一種用于硅晶體材料缺陷顯示的腐蝕液及其使用方法

有效

• 申請號: 200710070017.4
• 申請日: 2007-07-13
• 公開（公告）號: CN101082550A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 楊德仁;馬向陽;曾俞衡;闕端麟
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01N1/32
• 分類號: G01N1/32;G01N21/95
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.一種用于硅晶體材料缺陷顯示的腐蝕液，其特征是以體積百分數計，含有：

質量濃度為65％～68％的HNO₃≥10％，

質量濃度為40％的HF≥5％，且滿足35％≤HNO₃+HF≤75％，其余體積由H₂O補足，組分之和為HNO₃+HF+H₂O＝100％。

2.根據權利要求1所述的用于硅晶體材料缺陷顯示的腐蝕液，其特征是在電阻率為0.0007～80Ω·cm、<110>、<100>和<111>晶向的硅片缺陷顯示的應用。

3.根據權利要求1所述的用于硅晶體材料缺陷顯示的腐蝕液的使用方法，其特征是步驟如下：

(1)用RCA標準清洗液清洗硅片；

(2)將硅片置于腐蝕液中靜置不動，待硅片表面產生氣泡時，搖晃腐蝕液；

(3)腐蝕2～5分鐘后，加入去離子水，停止反應，然后用體積比為HNO₃∶HF＝10∶1的混合液腐蝕硅片5～10秒鐘，去除表面層，用水沖洗后，用光學顯微鏡拍攝硅片表面腐蝕形貌。