[發(fā)明專利]一種ZnO基發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710070016.X
• 申請日: 2007-07-13
• 公開（公告）號: CN101097979A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 葉志鎮(zhèn);曾昱嘉;盧洋藩;徐偉中
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.ZnO基發(fā)光二極管的制備方法，其特征是步驟如下：

將襯底(1)表面清洗后放入金屬有機物化學氣相沉積系統(tǒng)的生長室中，生長室抽真空至10^-4Pa，加熱襯底至300～600℃，通入有機鋅源、氧氣，生長壓強為50Torr，在襯底上沉積n-ZnO薄膜層(2)；通入有機鋅源、有機鎂源、氧氣，生長壓強為50Torr，在n-ZnO薄膜層(2)上沉積n-Zn_1-xMg_xO薄膜層(3)、0<x<0.6；交替通入有機鋅源、氧氣以及有機鋅源、有機鎂源、氧氣，生長壓強為50Torr，沉積ZnO層和Zn_1-yMg_yO層，0<y<0.5，以形成5～10個周期的ZnO量子阱層(4)；然后通入有機鋅源、有機鎂源、氧氣、一氧化氮，NO/O₂的摩爾比為0.3～0.7，生長壓強為30Pa，在ZnO量子阱層(4)上生長p-Zn_1-xMg_xO薄膜層(5)、0<x<0.6；接著通入有機鋅源、氧氣、一氧化氮，NO/O₂的摩爾比為0.3～0.7，生長壓強為20Pa，生長p-ZnO薄膜層(6)；最后采用電子束蒸發(fā)法在p-ZnO薄膜層(6)上沉積第二電極(8)，在襯底的另一面沉積第一電極(7)。