[發明專利]具有鎳酸鋰緩沖層的外延鈦酸鍶鉛薄膜及制備方法

無效

• 申請號: 200710068448.7
• 申請日: 2007-04-30
• 公開（公告）號: CN101122048A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 杜丕一;李曉婷;翁文劍;韓高榮;趙高凌;沈鴿;徐剛;張溪文
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C30B29/32
• 分類號: C30B29/32;C30B23/02
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 林懷禹

1.一種具有鎳酸鋰緩沖層的外延鈦酸鍶鉛薄膜，其特征在于：在MgO基板(1)的一面上沉積一層緩沖層導電電極LNO薄膜(2)，在緩沖層導電電極LNO薄膜(2)上再沉積一層鈣鈦礦相PST薄膜(3)。

2.根據權利要求1所述的一種具有鎳酸鋰緩沖層的外延鈦酸鍶鉛薄膜，其特征在于：所述的鈦酸鍶鉛薄膜透過率為30％～60％，電導率為2×10^-3～3×10^-3Ωm。

3.一種具有鎳酸鋰緩沖層的外延鈦酸鍶鉛薄膜的制備方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1)以碳酸鋰和氧化鎳為原料，按質量百分含量為10％～20％的碳酸鋰與80％～90％的氧化鎳混合后，研磨3～5小時，以壓力為2～10MPa壓制成型，并在空氣中燒結，燒結溫度為800～900℃，升溫速率為100～600℃/h，保溫1～3h，降到常溫后得到鎳酸鋰靶材；

2)以碳酸鉛、碳酸鍶和氧化鈦為原料，按質量百分含量為20％～30％的碳酸鉛、15％～25％的碳酸鍶和45％～65％氧化鈦混合后，研磨3～5小時，以壓力為2～10MPa壓制成型，并在空氣中燒結，燒結溫度為800～900℃，升溫速率為100～600℃/h，保溫1～3h，降到常溫后得到鈦酸鍶鉛靶材；

4)采用已制備的鎳酸鋰靶材，利用脈沖激光沉積法，在(001)MgO基板上沉積鎳酸鋰薄膜，基板溫度范圍為500～600℃；

5)采用已制備的鈦酸鍶鉛靶材，利用脈沖激光沉積法，在覆蓋又鎳酸鋰緩沖層的(001)MgO基板上沉積鈦酸鍶鉛薄膜，基板溫度范圍為700～800℃。

4.根據權利要求3所述的一種具有鎳酸鋰緩沖層的外延鈦酸鍶鉛薄膜的制備方法，其特征在于：所述的鈦酸鍶鉛薄膜具有優良的外延特性，在-20v～20v外加電場之間，介電可調性介于40％到70％之間。