[發明專利]一種晶片的拋光方法

無效

• 申請號: 200710068274.4
• 申請日: 2007-05-09
• 公開（公告）號: CN101069958A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 李偉;胡曉冬
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: B24B29/00
• 分類號: B24B29/00
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司
• 代理人: 王兵;王利強

1、一種晶片的拋光方法，該方法主要包括以下步驟：

(1)、把待加工的晶片放置到拋光機的行星輪上；

(2)、啟動拋光機，拋光機自檢正常后，依照待加工晶片設置工藝參數：各個變頻電機的轉速控制曲線、汽缸的壓力控制曲線、拋光液的溫度和流量；

(3)、控制與上拋光盤連接的汽缸下降，并接收位置傳感器的信號，當上拋光盤到達工作位置時，汽缸停止，并將上拋光盤與長軸連接；

(4)、檢測拋光液輸送裝置正常后，并打開拋光液；

(5)、控制汽缸繼續下降，并通過壓力傳感器檢測汽缸與上拋光盤之間的壓力，當壓力傳感器的壓力達到預設的壓力時，啟動各個變頻電機；

(6)、依照轉速控制曲線控制變頻電機轉動，壓力控制曲線控制汽缸，進行晶片拋光。

2、如權利要求1所述的一種晶片的拋光方法，其特征在于：所述的拋光方法還包括：

(7)、在拋光過程中，周期性地檢測轉速是否正常、或壓力是否正常、或拋光液的流量和溫度是否正常，如判定為不正常，關斷各個變頻電機，并停止供應拋光液；

(8)、控制汽缸上升，當位置傳感器檢測汽缸回復到初始位置時結束。

3、如權利要求1或2所述的一種晶片的拋光方法，其特征在于：在所述的(2)中，轉速控制曲線包括：啟動階段、預拋速度階段、粗拋速度階段、精拋速度階段、清洗速度階段、緩停階段；壓力控制曲線包括：啟動壓力階段、預壓力階段、粗拋壓力階段、精拋壓力階段、清洗壓力階段、緩停階段。

4、如權利要求3所述的一種晶片的拋光方法，其特征在于：在所述的(6)中，在拋光工作階段中，如轉速傳感器檢測的轉速小于或大于各階段的工作速度，控制變頻器增大或減小轉速；如壓力傳感器檢測的壓力小于或大于各階段的工作壓力，控制壓力調節閥增大或減小壓力。