[發明專利]低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖

有效

• 申請號: 200710066730.1
• 申請日: 2007-01-16
• 公開（公告）號: CN101226258A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 張立永;吳興坤;盧衛民;楊軍勇
• 申請（專利權）人: 富通集團有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/02
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所
• 代理人: 胡龍祥

1.低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，包括裸玻璃光纖(11)以及包圍在所述裸玻璃光纖外周的樹脂保護層(12、13)，其特征是所述裸玻璃光纖(11)由一個芯層區和三個包層區(113、114、115)組成，且芯層區由折射率較低的凹陷區(111)和折射率較高的非凹陷區(112)組成，第一包層區(113)和第三包層區(115)為純SiO2層，第二包層區(114)的折射率差(Δ2)高于芯層區的折射率差，所述芯層區和三個包層區的折射率剖面都是階梯型剖面。

2.根據權利要求1所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是芯層凹陷區折射率差(Δc)在0.0035～0.0072之間；芯層凹陷區厚度在0.9～2.1μm之間；芯層非凹陷區折射率差(Δ1)在0.0081～0.0095之間；芯層非凹陷區厚度即在0.6～2.3μm之間；第一包層厚度在0.8～2.3μm之間；第二包層的折射率差(Δ2)在0.0089～0.0107之間；第二包層厚度在0.76～1.78μm之間；第三包層厚度在57.2～58.8μm之間。

3.根據權利要求1或2所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是第二包層的折射率差(Δ2)比芯層非凹陷區折射率差(Δ1)高9％～14％。

4.根據權利要求3所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是芯層凹陷區折射率差(Δc)在0.0037～0.0039之間，芯層非凹陷區折射率差(Δ1)在0.0092～0.0096之間，第二包層的折射率差(Δ2)在0.0097～0.0100之間，芯層凹陷區直徑(a0)在4.04～4.36μm之間，芯層非凹陷區直徑(a)在6.19～6.61μm之間，第一包層直徑(c1)在7.15～7.65μm之間，第二包層直徑(c2)在8.96～9.60μm之間，第三包層之間(c3)在124.00～126.00μm之間。

5.根據權利要求4所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是有效面積(A_eff)大于80μm²；非線性波導系數(γ)小于1.102W^-1K^-1；在1550nm下的模場直徑(MFD₁₅₅₀)在10.10～10.30μm之間。

6.根據權利要求3所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是芯層凹陷區折射率差(Δc)在0.0034～0.0036之間，芯層非凹陷區折射率差(Δ1)在0.0086～0.0090之間，第二包層的折射率差(Δ2)在0.0094～0.0100之間，芯層凹陷區直徑(a0)在3.85～4.15μm之間，芯層非凹陷區直徑(a)在5.22～5.58μm之間，第一包層直徑(c1)在5.98～6.42μm之間，第二包層直徑(c2)在7.72～8.28μm之間，第三包層之間(c3)在124.26～125.92μm之間。

7.根據權利要求6所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是抗彎損特征參量(MAC)小于5.9；當彎曲半徑為30mm，彎曲圈數為100圈時，在1625nm波長下的最大宏彎損耗＜0.15dB；在1550nm下的模場直徑(MFD₁₅₅₀)為8.30～8.50μm。

8.根據權利要求3所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是芯層凹陷區折射率差(Δc)在0.0071～0.0075之間，芯層非凹陷區折射率差(Δ1)在0.0086～0.0090之間，第二包層的折射率差(Δ2)在0.0097～0.0100之間，芯層凹陷區直徑(a0)在1.92～2.08μm之間，芯層非凹陷區直徑(a)在5.44～5.76μm之間，第一包層直徑(c1)在6.40～6.80μm之間，第二包層直徑(c2)在8.80～9.36μm之間，第三包層之間(c3)在124.31～125.94μm之間。

9.根據權利要求8所述的低彎曲損耗、低非線性效應的單模光纖，其特征是有效面積(A_eff)大于65μm²；抗彎損特征參量(MAC)小于7.1；當彎曲半徑為30mm，彎曲圈數為100圈時，在1625nm波長下的最大宏彎損耗小于0.25dB；在1550nm下的模場直徑(MFD₁₅₅₀)為9.70～9.90μm。