[發(fā)明專利]由光纖預(yù)制棒廢料制備太陽能級硅的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710065906.1 | 申請日： | 2007-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN101058888A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬文會;戴永年;楊斌;劉大春;劉儀柯;徐寶強;汪鏡福;謝克強;伍繼君;魏奎先 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號： | C25B1/00 | 分類號： | C25B1/00 |
| 代理公司： | 昆明正原專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 趙云 |
| 地址： | 650093云南省昆明市五華*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光纖 預(yù)制 廢料 制備 太陽 能級 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、由光纖預(yù)制棒廢料制備太陽能級硅的方法，其特征是：①把堿金屬氯化物、堿土金屬氯化物熔融鹽的任一種，或其復(fù)合鹽置于電解槽內(nèi)，加熱至300℃～1000℃，呈熔融狀電解質(zhì)；②在光纖廢料的表面纏繞鉬絲，與直流電源連接好作為工作電極，將石墨棒連接直流電源作為對電極；③把制作好了的電極插入熔融鹽內(nèi)，電解槽抽成真空或不斷的通入惰性保護氣體并在惰性氣體的保護下，通入0.4V～2V以Ca2+/Ca為基準(zhǔn)的直流電，進行氧化還原反應(yīng)，在工作電極得到高純度的硅；④再聯(lián)合真空精煉處理工序制備出太陽能級硅。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的由光纖預(yù)制棒廢料制備太陽能級硅的方法，其特征是：鉬絲的純度為99％以上，通電反應(yīng)時整個電解槽中充入惰性保護氣體。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的由光纖預(yù)制棒廢料制備太陽能級硅的方法，其特征是：在電解槽中還裝有以Ca2+/Ca為基準(zhǔn)的參比電極，鉬絲在光纖廢料上纏繞10匝以上。
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