[發明專利]基于氮化鋁緩沖層的硅基3C－碳化硅異質外延生長方法

無效

• 申請號: 200710065183.5
• 申請日: 2007-04-05
• 公開（公告）號: CN101281862A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 趙永梅;孫國勝;劉興昉;李家業;王雷;趙萬順;李晉閩;曾一平
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L21/205;H01L21/365
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1.?一種基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：將硅襯底進行氫氣刻蝕處理；

步驟2：通入三甲基鋁，進行硅襯底表面鋪鋁；

步驟3：不關斷三甲基鋁源，通入氨氣，進行氮化鋁緩沖層生長；

步驟4：緩沖層生長結束后，關閉氨氣和三甲基鋁，在氫氣環境中降溫至室溫，關閉氫氣，對生長系統抽真空；

步驟5：在氫氣環境下升溫，通入硅烷和乙烯，進行碳化硅層外延生長，完成異質外延生長。

2.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中硅襯底進行氫氣刻蝕處理的溫度為1100℃，氫氣流量為5～20標準升/分鐘，刻蝕時壓力為40～100托。

3.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中三甲基鋁的流量為5～20標準毫升/分鐘，表面鋪鋁的時間為10～20秒。

4.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中氮化鋁緩沖層生長時，三甲基鋁的流量為5～20標準毫升/分鐘，氨氣的流量為960～1445標準毫升/分鐘。

5.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中氮化鋁緩沖層的生長時間為10～60分鐘。

6.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中在氫氣環境下降溫至室溫，關斷氫氣，分子泵對生長系統抽真空，時間為1.5～3小時。

7.?根據權利要求1所述的基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法，其特征在于，其中碳化硅外延層的生長壓力為40～100托，生長溫度為1200～1350℃，乙烯流量為1.5～6標準毫升/分鐘，硅烷流量為0.5～2標準毫升/分鐘。