[發(fā)明專利]光電器件的封裝方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710065098.9 | 申請(qǐng)日： | 2007-04-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101030544A | 公開（公告）日： | 2007-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱勇;吳空物;高裕弟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/54 | 分類號(hào)： | H01L21/54;H01L23/20;H01L23/373;H01L33/00;H01L51/56;H01L51/54;H01L27/32 |
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| 地址： | 100084北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電 器件 封裝 方法 | ||
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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