[發明專利]一種制作百納米級螺線管或網狀結構的方法

無效

• 申請號: 200710064864.X
• 申請日: 2007-03-28
• 公開（公告）號: CN101276149A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 李金儒;趙珉;王琴;劉明;陳寶欽
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00;B82B3/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.?一種制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，該方法包括：

A、對基片襯底進行熱處理；

B、在襯底上涂敷具有反轉特性的電子抗蝕劑；

C、對涂敷電子抗蝕劑進行前烘；

D、對電子抗蝕劑進行電子束直寫曝光；

E、實施反轉顯影及過顯影；

F、定影。

2.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟A中所述襯底為鉻版襯底或硅片襯底，所述熱處理包括對基片襯底進行嚴格的表面清潔處理和120度高溫處理。

3.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟B中所述襯底為剛剛經過熱處理的表面平整、潔凈的鉻版襯底或硅片襯底；所述涂敷采用勻膠機涂敷方法進行；所述電子抗蝕劑為AZ系列正性電子抗蝕劑，具體包括AZ1350、AZ1450、AZ1518或UVIII，抗蝕劑為單層結構。

4.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟C中所述前烘為采用烘箱或熱板對電子抗蝕劑進行一定時間和一定溫度的烘烤。

5.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟D中所述電子束直寫曝光可采用納米電子束光刻系統，進行超劑量曝光，線曝光劑量為60至100nC/cm，曝光版圖設計中線條為零寬度的線條。

6.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟E中所述反轉顯影，在顯影前進行高溫烘烤，并在白光水浴條件下進行反轉顯影，顯影時間為2至3分鐘，呈過顯影狀態。

7.?根據權利要求1所述的制作百納米級螺線管或網狀結構的方法，其特征在于，步驟F中所述定影采用的定影液為去離子水。