[發明專利]用于有機電致發光顯示器/照明器件的容錯電路有效
| 申請號: | 200710064860.1 | 申請日: | 2007-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN101276528A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 李大勇;劉明 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | G09G3/14 | 分類號: | G09G3/14;G09G3/32;H05B37/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 有機 電致發光 顯示器 照明 器件 容錯 電路 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光顯示技術領域,尤其涉及一種用于有機電致發光顯示器/照明器件的容錯電路,以驅動有機電致發光部件的象素。
背景技術
有機電致發光(OLED)元件包括一個夾在陽極層和陰極層之間的發光材料層。電學上,這種元件的工作類似于二極管。光學上,當正向加偏壓時它發出與發光材料相關的顏色的光,并且亮度隨著正向偏置電流的提高而增強。有可能構造帶有OLED元件矩陣的顯示平面或較大面積的照明器件,其制造于透明基底上并帶有至少一層的透明電極層,還可能通過使用低溫多晶硅薄膜晶體管(TFT)技術把驅動電路集成在同一塊屏面上。
如圖1所示,圖1為現有OLED象素驅動電路的示意圖。在用于有源矩陣式OLED顯示器的基本驅動方式下,每個象素最少需要兩個晶體管,即M1和M2,其中M1用于對象素進行尋址,M2用于將數據電壓信號轉化為使OLED元件發射指定亮度的電流。當象素未被選中時,通過存儲電容CS存儲數據信號。盡管在圖中采用p溝道TFT作為示例,但該原理同樣可以應用于采用n溝道TFT的電路。
大面積的OLED顯示和照明屏面通常會伴有各種問題,從而整個器件不能像完美二極管那樣工作。最主要的問題是隨著OLED元件的面積的增大,不可避免的會產生短路錯誤,這是因為發光層材料的厚度通常為100納米左右,在制作OLED元件過程中,很容易產生穿孔,使得陽極與陰極直接接觸發生短路。這會使得大部分電流從該短路處流過,而非正常OLED元件,因此這種短路在無源OLED顯示器上造成屏面的顯示區中的不均勻象素亮度,在有源OLED顯示器上造成非常大的能耗,并且引起不發光的象素點,這嚴重影響圖象質量和光源質量。從而,需要一種用來容錯的內置結構消除這些影響。
對于上述問題,目前基本采用“淘汰”的辦法,進行質量控制。在使用中發生短路故障,無法進行修復。對于無源矩陣OLED顯示或照明屏面,美國專利7049757采用串聯的方法將OLED元件首尾相連,當其中一個元件發生短路故障的時候,由其他元件共同分擔該短路元件的電壓,從而降低了短路故障的影響。但該方法容易提高整個顯示屏的驅動電壓,并且無法應用于有源矩陣OLED顯示或照明屏面上。
發明內容
(一)要解決的技術問題
有鑒于此,本發明的主要目的在于提供一種用于有機電致發光顯示器/照明器件的容錯電路,以解決在顯示器件或照明器件使用過程中,因像素點發生短路故障而引起的亮度不均的現象,使器件的亮度和功耗保持不變。
(二)技術方案
為達到上述目的,本發明的技術方案是這樣實現的:
一種用于有機電致發光顯示器/照明器件的容錯電路,該電路包括尋址單元1、壓控電流源單元2、支路控制單元3、置零單元4、主發光器件208和備用發光器件212,其中,
尋址單元1,用于為壓控電流源單元2中的電容元件進行充電,并設置壓控電流源單元2中電流源晶體管的柵源電壓;
壓控電流源單元2,用于為支路控制單元3進行提供電源;
支路控制單元3,用于接收來自壓控電流源單元2的恒定電流信號,判斷自身第一支路開關晶體管206和第二支路開關晶體管207的工作狀態;
置零單元4,用于判斷支路控制單元3中第一支路開關晶體管206的柵極是否接地,使第一支路開關晶體管206正常工作。
所述尋址單元1包括行尋址信號輸入端201、列尋址信號輸入端202和尋址開關晶體管203,其中,
所述行尋址信號輸入端201用于對整片屏面上的象素進行行尋址,
所述列尋址信號輸入端202用于對整片屏面上的象素進行列尋址,
所述行尋址信號輸入端201連接于尋址開關晶體管203的源極,所述列尋址信號輸入端202連接于尋址開關晶體管203的柵極,所述尋址開關晶體管203的漏極連接于壓控電流源單元2中電流源晶體管205的柵極。
所述壓控電流源單元2包括存儲電容204和電流源晶體管205,所述存儲電容204連接于電流源晶體管205的柵極和源極之間,且電流源晶體管205的柵極連接于尋址開關晶體管203的漏極。
當尋址開關晶體管203處于開啟狀態且行尋址信號輸入端201為低電壓時,所述電流源晶體管205的柵極被設置為低電壓狀態,處于導通狀態;同時,所述低電壓對存儲電容204進行充電,使得存儲電容204的電壓等于電流源晶體管205的柵源電壓;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所,未經中國科學院微電子研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710064860.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用作高離子強度鹽溶液增稠劑的聚電解質絡合物
- 下一篇:用于化妝品應用的共聚物





