[發明專利]基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法

無效

• 申請號: 200710064856.5
• 申請日: 2007-03-28
• 公開（公告）號: CN101274738A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 易亮;歐毅;陳大鵬;景玉鵬;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01L1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.?一種基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，該方法包括：

A、在硅片的正面和背面淀積氮化硅薄膜；

B、保護正面，對背面進行光刻，刻蝕形成氮化硅薄膜窗口以及劃片槽；

C、在正面淀積多晶硅薄膜，進行磷重摻雜，光刻，打底膠，表面淀積鉻薄膜，剝離，刻蝕形成多晶硅薄膜電阻條；

D、在正面淀積一層氮化硅薄膜，鈍化多晶硅；

E、腐蝕背面體硅，形成腔體；

F、正面光刻，打底膠，表面淀積鉻薄膜，剝離，刻蝕形成接觸孔；

G、正面光刻，電子束蒸發金屬鋁Al，剝離，形成電極；

H、背面與硼硅玻璃進行陽極鍵合。

2.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，

步驟A中所述硅片為雙表面拋光的晶向為(100)的n型硅片；

步驟A中所述淀積采用低壓化學氣相沉積LPCVD方法進行；

步驟A中所述氮化硅薄膜的厚度為1.5μm。

3.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，所述步驟B包括：

正面用光刻膠保護，背面光學光刻后，光刻膠作掩蔽，用ICP干法刻蝕掉氮化硅，形成900μm×900μm的腐蝕窗口以及劃片槽。

4.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，所述步驟C包括：

在正面用LPCVD淀積多晶硅薄膜，用離子注入機進行磷重摻雜，劑量為1×10¹⁶cm²，注入能量為40KeV，光學光刻，打底膠，表面電子束蒸發厚度為200的鉻薄膜，剝離，刻蝕形成100μm×2μm×0.5μm的多晶硅薄膜電阻條。

5.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，步驟D中所述淀積氮化硅薄膜采用LPCVD方法進行，淀積的氮化硅薄膜的厚度為100nm。

6.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，步驟E中所述腐蝕背面體硅，在質量比為30％的KOH溶液中采用各向異性腐蝕方法進行。

7.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，所述步驟F包括：

正面光學光刻，ICP打底膠，電子束蒸發厚度為200的鉻薄膜，超聲剝離，ICP刻蝕形成接觸孔。

8.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，所述步驟G包括：

正面光學光刻，電子束蒸發一層厚度為300nm的金屬Al，超聲剝離，形成電極。

9.?根據權利要求1所述的基于多晶硅特性制作熱剪切應力傳感器的方法，其特征在于，所述步驟H包括：

在真空環境下硅晶片背面與硼硅玻璃Corning7740進行陽極鍵合，相對于玻璃，硅保持正極，電壓1200V，溫度400℃。