[發明專利]一種晶體管T型納米柵的制作方法

無效

• 申請號: 200710064854.6
• 申請日: 2007-03-28
• 公開（公告）號: CN101276750A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 劉亮;張海英;劉訓春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/335
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.?一種晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，該方法包括：

A、在清洗干凈的外延片上淀積一層氮化硅或二氧化硅介質；

B、在所述氮化硅或二氧化硅介質上勻第一層電子束膠ZEP520A，然后前烘；

C、在所述第一層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實現去膠和剝離的第二層電子束膠，然后前烘；

D、在所述第二層電子束膠上勻第三層電子束膠ZEP520A，然后前烘；

E、進行柵版電子束曝光；

F、依次顯影第三層電子束膠ZEP520A，易于實現去膠和剝離的第二層電子束膠和第一層電子束膠ZEP520A；

G、等離子刻蝕所述氮化硅或二氧化硅介質；

H、腐蝕柵槽，蒸發柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。

2.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，所述步驟A之前進一步包括清洗外延片，具體步驟包括：

先用丙酮沖洗，再用乙醇沖洗，然后用去離子水沖洗，如此反復至少6次，最后用氮氣吹干。

3.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，所述易于實現去膠和剝離的第二層電子束膠為PMGI電子束膠，或為LOR膠。

4.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟A中所述氮化硅或二氧化硅介質的厚度為100至1000埃，典型值為200埃。

5.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟B中所述第一層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1000至2500埃，典型值為1800埃；在前烘后的厚度為900至2300埃，典型值為1600埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。

6.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟C中所述第二層電子束膠在前烘前的厚度為3000至5500埃，典型值為4500埃；在前烘后的厚度為2500至5000埃，典型值為4000埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。

7.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟D中所述第三層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1700至4000埃，典型值為2600埃；在前烘后的厚度為1500至3500埃，典型值為2400埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。

8.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，

步驟E中所述柵版電子束曝光的條件為：曝光劑量60至150μC/cm²，束流小于等于50pA。

9.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟G中所述等離子刻蝕氮化硅或二氧化硅介質的刻蝕條件為：

刻蝕氣體采用四氟化碳CF₄或六氟化硫SF₆，功率10至60W，流量10至60sccm。

10.?根據權利要求1所述的晶體管T型納米柵的制作方法，其特征在于，步驟H中所述腐蝕柵槽包括：

對于帽層/腐蝕截止層為砷化鎵GaAs/砷化鋁AlAs的材料，采用磷酸∶雙氧水∶水體積比為3∶1∶50的溶液進行腐蝕；

對于帽層/腐蝕截止層為銦鎵砷InGaAs/磷化銦InP的材料，采用檸檬酸∶雙氧水體積比為1∶1的溶液進行腐蝕；

步驟H中所述蒸發的柵金屬由外延片表面向上依次為鈦Ti/鉑Pt/金Au，其厚度的典型值分別為250/250/3000。