[發明專利]在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法

無效

• 申請號: 200710063705.8
• 申請日: 2007-02-07
• 公開（公告）號: CN101241850A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 周慧英;曲勝春;金鵬;徐波;王赤云;劉俊朋;王智杰;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/266
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1.?一種在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，包含下列步驟：

步驟1：取一半導體襯底和制備好的有序的陽極氧化鋁通孔模板；

步驟2：把制備好的有序的陽極氧化鋁通孔模板放置在半導體襯底上，陽極氧化鋁通孔模板的作用是在半導體襯底上選擇性注入金屬離子；

步驟3：將足夠厚的陽極氧化鋁模板的半導體襯底進行離子注入，目的是讓金屬離子通過陽極氧化鋁通孔注入半導體襯底，在沒有孔的區域，注入離子不會到達半導體襯底；

步驟4：在飽和的NaOH溶液中清洗以剝離模板；

步驟5：在分子束外延設備中沉積InAs量子點，通過應力調制的作用，量子點會優先成核在離子注入的區域，完成量子點的制備。

2.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的半導體襯底是GaAs半導體襯底。

3.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中陽極氧化模板是尺寸均勻的氧化鋁通孔模板。

4.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的掩模離子注入是金屬離子注入。

5.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中的所述的掩模離子注入是包括高能離子注入和低能離子注入。

6.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的剝離模板是在飽和的NaOH溶液中超聲波清洗。

7.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的在分子束外延設備中沉積InAs量子點的溫度為450℃-520℃。

8.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的在分子束外延設備中沉積InAs量子點的砷壓為(2-6)×10-6Torr。

9.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的在分子束外延設備中沉積InAs量子點的InAs量為1.7-3單分子層。

10.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的在分子束外延設備中沉積InAs量子點的InAs的速率是為每秒0.06-O.2單分子層。

11.?根據權利要求1所述的在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法，其特征在于，其中所述的在分子束外延設備中沉積InAs量子點時采用生長停頓的方法。