[發明專利]提高單晶硅太陽能電池減反射膜質量的方法有效
| 申請號： | 200710063644.5 | 申請日： | 2007-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN101241953A | 公開（公告）日： | 2008-08-13 |
| 發明（設計）人： | 唐景庭;文超;周波;向小龍 | 申請（專利權）人： | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/318;C23C16/00;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 101111北京市中關村科技*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 單晶硅 太陽能電池 減反射膜 質量 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種PECVD沉積SiN薄膜工藝，其特征在于：其工藝包括以下步驟：
(1)清潔單晶硅片：將二次清洗工序流至PECVD工序的硅片清理干凈，保持硅片表面清潔無水漬。
(2)體鈍化：將硅片放入PECVD真空室內，抽真空，并開始升溫至300℃～400℃，溫度達到后在反應室內通入適量NH3氣體，開啟高頻電源放電5～10分鐘時間。
(3)沉積：在反應室內通入一定比例的SiH4和NH3氣體，保持1～2分鐘時間，讓氣體在反應室內各處保持一致，然后開啟高頻電源放電2分鐘后，停止高頻放電，切斷氣體通入，將反應室內殘余氣體抽干凈。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
