[發明專利]一種碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的表面處理方法無效
| 申請號： | 200710063630.3 | 申請日： | 2007-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN101054710A | 公開（公告）日： | 2007-10-17 |
| 發明（設計）人： | 韓建民;崔世海;李衛京;陳懷軍;劉元富;祝曉文;李榮華;徐向陽;王金華 | 申請（專利權）人： | 北京交通大學 |
| 主分類號： | C25D11/06 | 分類號： | C25D11/06 |
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| 地址： | 100044北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 顆粒 增強 復合材料 表面 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的表面處理方法，其特征在于：該方法所使用的電解液由去離子水配制，其配比為鋁酸鈉5～20g/l、硅酸鈉0～10g/l。
將經除油清洗的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料放入不銹鋼電解槽中，碳化硅顆粒增強鋁基復合材料接電源的正極，不銹鋼電解槽的槽體接電源的負極，對工件施加頻率50HZ的不對稱正弦交流電，處理時間10～90分鐘。
2.根據權利要求1所述的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的表面處理方法，其特征在于：所處理的是SiC顆粒的體積含量比為5～40％的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料。
3.根據權利要求1所述的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的表面處理方法，其特征在于：所述在碳化硅顆粒增強鋁基復合材料施加的交流電壓的最高正峰值電壓為400～600V，負峰值電壓為50～250V。
4.根據權利要求1所述的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的表面處理方法，其特征在于：所述的電解液的溫度控制在15～40℃。
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