[發明專利]硅片刻蝕設備及控制腔室上蓋升降的方法無效
| 申請號： | 200710063393.0 | 申請日： | 2007-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN101221904A | 公開（公告）日： | 2008-07-16 |
| 發明（設計）人： | 張俊 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮勇;郭宗勝 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 刻蝕 設備 控制 腔室上蓋 升降 方法 | ||
1.一種硅片刻蝕設備，包括刻蝕腔室，刻蝕腔室的上部依次設有安裝襯環和腔室上蓋，其特征在于，所述的安裝襯環與腔室上蓋之間設有多個壓力感應裝置。
2.根據權利要求1所述的硅片刻蝕設備，其特征在于，所述的壓力感應裝置有3個。
3.根據權利要求1或2所述的硅片刻蝕設備，其特征在于，所述的壓力感應裝置為微型壓力開關。
4.根據權利要求1或2所述的硅片刻蝕設備，其特征在于，所述的壓力感應裝置為微型壓力傳感器。
5.根據權利要求1所述的硅片刻蝕設備，其特征在于，所述的多個壓力感應裝置均勻分布且嵌入安裝于所述安裝襯環的上表面。
6.根據權利要求1所述的硅片刻蝕設備，其特征在于，所述的多個壓力感應裝置均勻分布且緊貼所述腔室上蓋的內壁安裝于腔室上蓋的下表面。
7.一種控制腔室上蓋升降的方法，其特征在于，當腔室上蓋接觸到壓力感應裝置時，關閉腔室上蓋的下降操作。
8.根據權利要求7所述的控制腔室上蓋升降的方法，其特征在于，當腔室上蓋接觸到微型壓力開關時，微型壓力開關關閉腔室上蓋的下降操作。
9.根據權利要求7所述的控制腔室上蓋升降的方法，其特征在于，當腔室上蓋接觸到微型壓力傳感器時，微型壓力傳感器向控制裝置發出限位信號，控制裝置接收到限位信號后關閉腔室上蓋的下降操作。
10.根據權利要求7所述的控制腔室上蓋升降的方法，其特征在于，當硅片刻蝕設備進行刻蝕工藝時，關閉腔室上蓋的上升及下降操作。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
