[發(fā)明專(zhuān)利]一種等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710063229.X
• 申請(qǐng)日: 2007-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101217103A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;王連軍

1.一種等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法，用于在等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度不能滿(mǎn)足工藝過(guò)程要求時(shí)及時(shí)更換反應(yīng)腔體，其特征在于，包括：

A、建立等離子體刻蝕設(shè)備中的生成物的性能參數(shù)與等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

B、檢測(cè)離子體刻蝕設(shè)備中的生成物的性能參數(shù)，根據(jù)步驟A建立的所述的對(duì)應(yīng)關(guān)系判斷反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度是否滿(mǎn)足工藝過(guò)程要求，如不滿(mǎn)足則更換反應(yīng)腔體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法，其特征在于，所述的步驟A包括：

A1、選擇具有不同內(nèi)表面粗糙度Ra的反應(yīng)腔體的離子體刻蝕設(shè)備進(jìn)行工藝過(guò)程，一一對(duì)應(yīng)地測(cè)試不同反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度Ra下等離子體刻蝕設(shè)備中的生成物的性能參數(shù)值Q；

A2、根據(jù)反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度值Ra與等離子體刻蝕設(shè)備中的生成物的性能參數(shù)值Q的一一對(duì)應(yīng)值，建立表面粗糙度值Ra與譜強(qiáng)度值Q的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法，其特征在于，所述的步驟A1前包括：

A3、建立反應(yīng)腔體內(nèi)表面積S與反應(yīng)腔體內(nèi)表面粗糙度值Ra的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

A4、選擇不同內(nèi)表面積S的反應(yīng)腔體，根據(jù)步驟建立的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定所選擇的反應(yīng)腔體的內(nèi)表面粗糙度值Ra。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法，其特征在于，所述的步驟A3包括：

A31、建立反應(yīng)腔體的內(nèi)表面微觀顆粒的表面積Sn與其表面粗糙度值Ra的數(shù)學(xué)模型，Sn＝fn(Ra)；

A32、建立不同表面形狀的反應(yīng)腔體的內(nèi)表面上的微觀顆粒分布數(shù)學(xué)模型，并得出相應(yīng)的微觀顆粒數(shù)量N；

A33、建立反應(yīng)腔體的內(nèi)表面積S與反應(yīng)腔體的內(nèi)表面粗糙度值Ra的對(duì)應(yīng)關(guān)系：S＝N×Sn＝N×fn(Ra)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子刻蝕設(shè)備的維護(hù)方法，其特征在于，所述的步驟A31包括：

A311、反應(yīng)腔體的內(nèi)表面微觀顆粒的形狀為球冠，其表面積Sn與其表面粗糙度值Ra的數(shù)學(xué)模型為：Sn＝(64+π²)Ra²/π；

A312、反應(yīng)腔體的內(nèi)表面微觀顆粒的形狀為半球體，其表面積Sn與其表面粗糙度值Ra的數(shù)學(xué)模型為：Sn＝(32/π)Ra²；

A313、反應(yīng)腔體的內(nèi)表面微觀顆粒的形狀為圓錐體，其表面積Sn與其表面粗糙度值Ra的數(shù)學(xué)模型為：Sn=19/3πRa2.]]>