[發(fā)明專(zhuān)利]生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710062979.5
• 申請(qǐng)日: 2007-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101230487A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王曉亮;肖紅領(lǐng);胡國(guó)新;楊翠柏;冉學(xué)軍;王翠梅;張小賓;李建平;李晉閩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/38
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/38;C30B25/00
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 湯保平

1.一種生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：選擇一襯底；

步驟2：采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在襯底上生長(zhǎng)一層成核層，該成核層可增加襯底表面的成核密度；

步驟3：采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在成核層上生長(zhǎng)一層緩沖層，該緩沖層可減少外延層的缺陷密度，提高晶體質(zhì)量；

步驟4：采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在緩沖層上生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜，該氮化銦單晶薄膜表面平整，晶體質(zhì)量高。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中所述的襯底是藍(lán)寶石或碳化硅或硅襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中所述的成核層的材料為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中，x+y＝1，0≤x＜1，0≤y＜1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中所述的緩沖層的材料為氮化鎵。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中生長(zhǎng)成核層時(shí)，生長(zhǎng)溫度為450-1150℃，生長(zhǎng)壓力為5.33-26.67kPa，厚度為0.01-0.05μm，優(yōu)選范圍為850-1150℃，0.01-0.03μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中生長(zhǎng)氮化鎵緩沖層時(shí)，生長(zhǎng)溫度為900-1100℃，生長(zhǎng)壓力為13.33-26.67kPa，厚度為1.00-2.00μm，優(yōu)選范圍為1000-1100℃，1.50-2.00μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜的方法，其特征在于，其中生長(zhǎng)氮化銦單晶薄膜時(shí)，生長(zhǎng)溫度為400-650℃，生長(zhǎng)壓力為13.33-26.67kPa，生長(zhǎng)厚度為0.15-0.65μm，優(yōu)選范圍為450-600℃。