[發明專利]一種等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法無效
| 申請號: | 200710062764.3 | 申請日: | 2007-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN101226401A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發明(設計)人: | 張善貴 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | G05B21/02 | 分類號: | G05B21/02;G06F17/16;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭立明;任紅 |
| 地址: | 100016北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子 刻蝕 工藝 過程 中的 靈敏度 分析 方法 | ||
1.一種等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,包括:
A、將當前等離子刻蝕工藝過程的數據樣本代入設定的工藝函數方程得出等離子刻蝕工藝過程的工藝靈敏度指標;
B、根據當前的等離子刻蝕工藝過程的工藝靈敏度指標確定是否結束等離子刻蝕工藝過程。
2.根據權利要求1所述的等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,所述的工藝函數方程是將初始數據樣本的主元模型方程代入設定的主元回歸方程得出的。
3.根據權利要求2所述的等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,所述的設定的主元回歸方程為:
Y=a1×f1+a2×f2+…+ae×fe
式中,
Y,工藝的目標變量,輸出工藝性能指標,包括刻蝕速率或均勻性;
a1,a2,+…+,ae,方程的回歸系數;
f1,f2,…,fe,主元模型方程中的主元取值;
e,方程的主元個數。
4.根據權利要求3所述的等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,所述的主元回歸方程中的回歸系數a1,a2,+…+,ae依據等離子刻蝕工藝過程的歷史數據樣本通過多元線性回歸的方法來確定。
5.根據權利要求2或3所述的等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,所述的主元模型方程為,
式中,
f1,f2,…,fe,方程的主元取值;依據等離子刻蝕工藝過程的歷史數據樣本確定;
x=[x1,x2,…,xm]T。其中,x1,x2,…,xm是工藝的過程變量;
p1,p2,…,pm;初始樣本數據相關性矩陣Xn×m的特征向量p1,p2,…,pm;且,Xn×m為從等離子刻蝕工藝過程的歷史數據樣本選取初始樣本數據建立的初始樣本數據相關性矩陣。
6.根據權利要求3所述的等離子刻蝕工藝過程中的工藝靈敏度的分析方法,其特征在于,所述的主元回歸方程中的主元個數的確定原則是新主元變量所覆蓋的信息必須要達到原變量的85%以上。
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