[發明專利]一種多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法

有效

• 申請號: 200710062733.8
• 申請日: 2007-01-15
• 公開（公告）號: CN101224458A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 童翔
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B7/04;B08B1/00;C11D7/50;F26B5/00;F26B3/02;H01L21/00;H01L21/3065;C11D7/04
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;任紅

1.一種多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下過程：

A、用有機溶劑清洗零件表面；

B、用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面；

C、將零件放入超聲槽中，清洗設定的超聲波清洗時間，進行超聲波清洗。

2.根據權利要求1所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，所述過程B在清洗過程中包括下述過程至少一次：

用體積含量比為2％～20％的氫氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過設定的TMAH水溶液清洗時間。

3.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的方法在每次更換溶液進行下一步清洗或用同一溶液進行下一次清洗過程之前和/或之后還包括下述過程：

用超純水沖洗或噴淋零件表面；

用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至擦拭物上無帶色的污染物附著；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

4.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于：

在進行清洗前對零件上無需清洗的表面設置保護層，并在過程C前去除保護層；或者，所述的過程C后，將零件在80℃～120℃環境下烘烤零件進行烘干處理。

5.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的過程A前還包括用雙氧水H₂O₂與水H₂O的溶液浸泡零件，再用潔凈的擦拭物擦拭零件。

6.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的過程A包括用有機溶劑擦拭、浸泡或噴淋零件，再用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至擦拭物上無帶色的污染物附著。

7.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的過程B包括以下過程：

B1、用堿性溶液擦拭、浸泡或噴淋零件，并可重復多次；

B2、用酸性溶液擦拭零件，不超過設定的酸性溶液擦拭時間，并可重復多次。

8.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的有機溶劑包括：

純異丙醇，100％，符合SEMI標準C41-1101A的I級標準；或者，

純丙酮，滿足電子純級別要求。

9.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的堿性溶液包括氫氧化氨NH₄OH、雙氧水H₂O₂與水H₂O，其體積含量比為：

NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O為1～5∶3～10∶5～20。

10.根據權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括：

配方X，包括氫氟酸HF、硝酸HNO₃與水H₂O，其體積含量比HF∶HNO₃∶H₂O為0.5～2∶3～10∶50～80；或者，

配方Y，包括鹽酸HCl、雙氧水H₂O₂與水H₂O，其體積含量比HCl∶H₂O₂∶H₂O為0.5-3∶1-5∶5-15。