[發(fā)明專(zhuān)利]一種多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710062732.3
• 申請(qǐng)日: 2007-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101226872A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;任紅

1.一種多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、用液態(tài)二氧化碳CO₂清洗硅材質(zhì)零件表面；

B、對(duì)硅材質(zhì)零件表面進(jìn)行拋光處理，去除表面材料至消除表面缺陷與損傷；

C、對(duì)硅材質(zhì)零件進(jìn)行超聲波清洗、有機(jī)溶劑清洗與酸性溶液清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，所述步驟A包括：

A1、向硅材質(zhì)零件噴射出液態(tài)的CO₂，形成液態(tài)的CO₂流，來(lái)清洗材質(zhì)表面，噴射出的液態(tài)的CO₂流沖擊硅材質(zhì)零件，CO₂液體氣流帶走雜質(zhì)；

或者，在步驟A1后還包括：

用有機(jī)溶劑清洗去除硅材質(zhì)表面的有機(jī)雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的步驟B包括：

依次采用粒度由大至小的金剛石砂輪對(duì)硅材質(zhì)零件表面進(jìn)行拋光處理，直至硅材質(zhì)零件表面滿(mǎn)足預(yù)定的性能要求。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的步驟C包括：

C1、將電極放入50℃至80℃的熱水中超聲清洗設(shè)定的時(shí)間，且在清洗時(shí)保持電極上下擺動(dòng)；

C2、用有機(jī)溶劑擦拭、浸泡或噴淋電極，并用超純水噴淋電極；且此步驟可重復(fù)多次；

C3、用酸性溶液擦拭電極，并用超純水噴淋電極；且此步驟可重復(fù)多次。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于：所述的步驟C1前還包括：

C4、將電極放入大于70℃，小于100℃的水中浸泡0.5～1.5小時(shí)；

和/或，所述的步驟C3后還包括：

C5、將電極放入60℃的熱超純水中超聲清洗設(shè)定的時(shí)間；和/或，

C6、將零件在100℃～120℃環(huán)境下烘烤零件進(jìn)行烘干處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于：所述的步驟C1、步驟C2、步驟C3和/或步驟C5后還包括：

用超純水噴淋硅材質(zhì)零件，并用潔凈的氣體吹干硅材質(zhì)零件表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑包括：

含量為100％的異丙醇；或者，

含量為100％的丙酮；或者，

異丙醇與超純水的混合溶液，其中異丙醇與超純水的混合比例為體積比1∶1；

其中，所述的異丙醇符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41-1101A的I級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；所述的丙酮滿(mǎn)足電子純級(jí)別要求，所述的超純水為要求，電子系數(shù)18MΩ-cm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括氟化氨NH₄F、雙氧水H₂O₂、醋酸CH₃COOH、醋酸銨NH₄COOH與超純水UPW，其含量體積百分比為：

NH₄F???????0.01％-5％

H₂O₂???????5％-30％

CH₃COOH????0.01％-10％

NH₄COOH????0％-5％

UPW????????余量

其中各組份的含量各為100％。