[發明專利]重摻砷襯底上外延層過渡區的控制方法有效
| 申請號： | 200710061684.6 | 申請日： | 2007-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN101110356A | 公開（公告）日： | 2008-01-23 |
| 發明（設計）人： | 趙麗霞;袁肇耿;陳秉克;薛宏偉 | 申請（專利權）人： | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;H01L21/30;H01L21/302 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 | 代理人： | 張明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重摻砷 襯底 外延 過渡 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.重摻砷襯底上外延層過渡區的控制方法，它包括將襯底裝爐、升溫、通入氯化氫拋光、通入大流量氫氣沖洗、通入三氯氫硅用化學氣相沉積方法在襯底上生長出一層本征外延層，形成硅片，其特征在于，還包括以下措施和步驟：
A在生長完一層本征外延層后，降至870-930℃開爐并取出硅片；
B取出硅片期間，向爐內通入氯化氫腐蝕基座；
C腐蝕完成后，在870-930℃時，再把該硅片裝爐；
D再次用化學氣相沉積方法生長外延層，直到外延層達到要求的厚度。
2.根據權利要求1所述的重摻砷襯底上外延層過渡區的控制方法，其特征在于工藝參數還包括以下參數范圍：
a??第二次生長溫度：1130～1170℃，
b??兩次外延間的腐蝕時間為15～120秒，
c??兩次外延間的腐蝕溫度為：1130～1190℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
