[發(fā)明專利]低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710060654.3
• 申請(qǐng)日: 2007-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101215159A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李玲霞;張平;李國(guó)超;王洪茹;張志萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): C04B35/465
• 分類號(hào): C04B35/465;C04B35/495;C04B35/645
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所
• 代理人: 曹玉平

1.一種低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷，其特征在于，其組成及摩爾百分比含量為：

Li_1+x-yNb_1-x-3yTi_x+4yO₃，其中0.05＜x＜0.2，0＜y＜0.15，在此基礎(chǔ)上添加重量百分比為0.5～6％的B₂O₃、1～4％的Bi₂O₃、0.5～3％的CuO和2～10％玻璃粉的其中一至兩種；所述玻璃粉組分及重量百分比含量為：40～60％的Pb₃O₄、3～8％的SiO₂、15～30％的Bi₂O₃、2～7％的ZnO、5～10％的TiO₂和1～5％的H₃BO₃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷，其特征在于，其組成及摩爾百分比含量為：Li_1+x-yNb_1-x-3yTi_x+4yO₃，其中x＝0.18，y＝0.09，在此基礎(chǔ)上添加重量百分比為1～3％的B₂O₃、1～3％的Bi₂O₃、1～3％CuO和5～7％玻璃粉的其中一至兩種；所述玻璃粉組分及重量百分比含量為：60wt％的Pb₃O₄、3wt％的SiO₂、20.97wt％的Bi₂O₃、5.21wt％的ZnO、8.15wt％的TiO₂、2.67wt％的H₃BO₃。

3.權(quán)利要求1或2的低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷的制備方法，步驟如下：

(1)將原料Li₂CO₃、Nb₂O₅和TiO₂按配方通式Li_1-x-yNb_1-x-3yTi_x+4yO₃，其中0.05＜x＜0.2，0＜y＜0.15進(jìn)行配料；按混合原料與去離子水的重量比為1∶1.7加入去離子水，在球磨機(jī)上研磨4～6h；

(2)研磨后的原料于干燥箱中烘干，然后預(yù)燒，預(yù)燒溫度為850～920℃，保溫2～6h；

(3)預(yù)燒后的粉料按重量百分比含量為100％計(jì)，添加重量百分比為0.5～6％的B₂O₃、1～4％的Bi₂O₃、0.5～3％的CuO和2～10％玻璃粉的其中一至兩種，進(jìn)行二次配料；其中玻璃粉組分及重量百分比含量為：40～60％的Pb₃O₄、3～8％的SiO₂、15～30％的Bi₂O₃、2～7％的ZnO、5～10％的TiO₂和1～5％的H₃BO₃。

(4)將二次配料在球磨機(jī)上研磨24～26h，于紅外干燥箱中烘干，在烘干后的粉料加入重量百分比為5％～7％的粘結(jié)劑石蠟造粒，壓制成生坯，在高溫爐中于850～950℃燒成，保溫3～6h。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)和(4)的球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為400r/min。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)和(4)采用紅外干燥箱烘干。

6.根據(jù)權(quán)利要求3的低溫?zé)Y(jié)低損耗高頻介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)的造粒的粉料過(guò)1000孔/cm²分樣篩，在4～8Mpa壓強(qiáng)下壓制成圓片狀生坯。