[發明專利]一種超高介、低損耗的高頻介質陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 200710060578.6
• 申請日: 2007-12-29
• 公開（公告）號: CN101215160A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 李玲霞;曹麗鳳;張平;王洪茹;張志萍
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C04B35/495
• 分類號: C04B35/495;C04B35/64;C04B41/88;H01G4/12
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 劉立春

1.一種超高介、低損耗的高頻介質陶瓷，其特征在于，由基質Ag(Nb_1-xTa_x)O₃和添加劑Bi₂O₃組成，組分含量為：以Ag(Nb_1-xTa_x)O₃的質量為100％，添加劑Bi₂O₃的質量為Ag(Nb_1-xTa_x)O₃質量的4.2％～7.0％，其中0＜X≤0.4。

2.根據權利要求1所述的一種超高介、低損耗的高頻介質陶瓷，其特征在于，基質Ag(Nb_1-xTa_x)O₃由質量百分比為Ag₂O?41％～45％、Nb₂O₅?28％～46％、Ta₂O₅?9％～31％制備而成，其中0＜X≤0.4。

3.一種制備如權利要求1所述的超高介、低損耗的高頻介質陶瓷的制備方法，其特征在于，按下述步驟制備：

(1)將占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃質量28％～46％的Nb₂O₅和9％～31％的Ta₂O₅進行配料，Nb₂O₅和Ta₂O₅的混合物與去離子水的質量比是1∶1，球磨3～4小時，烘干；

(2)將步驟(1)得到的烘干的粉料在1200～1250℃下，煅燒3～5小時，合成Nb₂O₅和Ta₂O₅的前驅體；

(3)將占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃質量41％～45％的Ag₂O和步驟(2)得到的Nb₂O₅和Ta₂O₅的前驅體，進行配料，球磨3～4小時，烘干，在950～1050℃下煅燒9～12小時，形成Ag(Nb_1-xTa_x)O₃；

(4)在步驟(3)制備的Ag(Nb_1-xTa_x)O₃中加入占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃質量4.2％～7.0％的Bi₂O₃，進行配料，所述Ag(Nb_1-xTa_x)O₃和Bi₂O₃的混合物與去離子水的質量比是1∶1，球磨5～8小時，烘干，在1060～1130℃下，燒結2～8小時，得到超高介、低損耗的高頻介質陶瓷。

4.根據權利要求3所述的超高介、低損耗的高頻介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述Ag(Nb_1-xTa_x)O₃中，0＜X≤0.4。