[發明專利]北方地區適用的安祖花試管苗水培與基質培結合馴化方法

有效

• 申請號: 200710059516.3
• 申請日: 2007-09-06
• 公開（公告）號: CN101112171A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 楊小玲;王蒞;崔少杰;張曉磊;王隆清;霍文娟;侯正仿
• 申請（專利權）人: 天津市農業高新技術示范園區管理中心
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00;A01H4/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 陸藝

技術領域

本發明屬于農業栽培技術，特別是涉及一種適用于北方地區的安祖花試管苗馴化栽培方法。

背景技術

安祖花，別名紅掌、火鶴花、花燭，天南星科(Araceae)花燭屬(Anthurium)多年生常綠草本植物，原產于中美洲和南美洲熱帶雨林。其肉穗花序具有紅色、黃色、白色的蠟質佛焰苞，明艷華麗，色彩豐富，花期長，保鮮期長，便于包裝和運輸，安祖花種植面積和消費產量一直在穩定增長，國際貿易量居熱帶花卉第二位，僅次于蘭花。安祖花的繁殖方法通常采用分株、扦插和組織培養。但分株、扦插繁殖不能滿足生產和市場的需求，組織培養為安祖花快繁提供了有效途徑。

我國于1994年開始從國外引種安祖花，并進行了商業性栽培。但由于進口種苗，價格昂貴，安祖花良種的缺乏已經嚴重地限制了我國安祖花產業化的發展。培育優質價廉種苗成為發展安祖花產業的關鍵。荷蘭雖然實現了安祖花種苗規模化生產，但作為商業機密，荷蘭就此方面發布的關鍵技術報導較少。近幾年，國內許多園藝科技人員進行了安祖花組培快繁技術的研究，研究主要集中于愈傷組織誘導與分化、試管苗馴化栽培。但是，國內研究報導應用于生產實踐時，與規模化種苗生產存在差距，特別是，北方地區由于冬季氣溫低，而夏季溫度高，相對濕度小、晝夜溫差大，試管苗從優越的無菌且溫、濕度相對穩定的環境條件下移栽到光照強、晝夜溫差大、多菌的室外環境條件中，出現了適應能力差，葉片萎蔫、新根生長緩慢、移栽成活率低、商品性狀差等問題，多數報導指出，將試管苗開蓋練苗2-3天后，再進行基質移栽，可以提高試管苗成活率。此方法在實際應用中易造成污染，反而影響成活率，同時加大了工作量，安祖花試管苗馴化移栽的問題制約了我國安祖花產業的發展。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中的不足，提供一種試管苗馴化成活率高、生長快及易于管理的北方地區適用的安祖花試管苗水培與基質培結合馴化方法。

本發明的技術方案概述如下：

一種北方地區適用的安祖花試管苗水培與基質培結合馴化方法，由下述步驟組成：(1)水培培養：在空氣溫度為16--30℃，相對濕度為90％以上，光照強度為5000-10000Lux，選擇葉片舒展，葉形正常，具有3-5個葉片的，根系具有2-3條，每條長為0.5-2.5cm的試管苗，用水漂洗凈培養基后，將所述根系浸于充氧的、水溫為20-28℃的水中培養20-30天；(2)基質栽培：在空氣溫度為18-34℃，相對濕度為60％以上，光照強度為10000-15000Lux，將經步驟(1)培養的苗定植于含有草炭、珍珠巖和少量有機肥的基質中，培養。

所述水溫優選的是22--26℃。

所述水培培養的培養天數為25天。

所述草炭、珍珠巖的質量比為2-3∶1，所述有機肥占所述草炭和珍珠巖總質量的1％-5％。

本發明摸索出北方地區試管苗出瓶馴化移栽過程中，加速試管苗生根和提高試管苗成活率有效的方法。

本發明的優點是：

1.新根生長快，較其它基質移栽方法快10天左右。

2.提高試管苗馴化成活率，可達到95％以上。

3.改善弱小和污染試管苗質量。夏季組織培養過程中，污染發生率高，有些弱小試管苗(葉片不足3片)污染后，進行基質移栽時，基本不能成活，但使用本發明的方法移栽馴化后，60-70％成活，但此成活率較無污染的壯苗成活率低。

4.可周年生長，不受外界環境限制，提供的水調節的人工小環境，冬季可使用電熱管加溫；夏季可使用遮陽網或相對陰涼的房間進行水培管理，管理方便，并節省能源。

5.水培20-30天后，進行以草炭為主的基質移栽，可以為水培生根的試管苗急時補充養分和使新根深扎，起到壯苗的作用。避免了水培中直接使用肥料，因肥料濃度不適宜，造成澆根現象。同時由于水培時間短，不需要換水，操作方便。

附圖說明

圖1為草炭基質栽培易發生的漚根現象圖片。

圖2為蛭石和珍珠巖基質移栽易發生的失水萎蔫現象圖片。

圖3為使用本發明的方法中的步驟(1)水培培養14天生根圖片。

圖4為使用本發明的方法中的步驟(1)水培培養20天根系平均增加量為1cm的圖片。

圖5為使用本發明的方法后(水溫25，25天)移栽成活率在95％以上的圖片。

圖6為用草炭∶珍珠巖＝3∶1的基質培養的苗的圖片。

圖7為用蛭石為基質培養的苗的圖片。

圖8為用蛭石∶珍珠巖＝2∶1為基質培養的苗的圖片。

圖9為用本發明的方法中的步驟(1)水培培養的苗的圖片。