[發(fā)明專利]硅片切削崩邊控制方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710057424.1 | 申請日： | 2007-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN101310951A | 公開（公告）日： | 2008-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 仲躋和;李家榮;高如山 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津晶嶺電子材料科技有限公司 |
| 主分類號： | B28D1/32 | 分類號： | B28D1/32 |
| 代理公司： | 天津三元專利商標代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 胡婉明 |
| 地址： | 300385天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 切削 控制 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種硅片切削崩邊控制方法，包括將滾磨后的硅棒粘貼在切割機上，調(diào)整控制硅棒的自轉(zhuǎn)速度、切割機進刀速度以及切割刀刀口的表面溫度，對硅棒進行切削；其特征在于，所述切割的進刀速度控制在0.02cm/min至0.1cm/min；所述硅棒自轉(zhuǎn)速度控制在100轉(zhuǎn)/min至500轉(zhuǎn)/min；所述冷卻水的流量控制在2L/min至5L/min；所述切割刀刀口的表面溫度保持在40℃以下。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片切削崩邊控制方法，其特征在于，所述冷卻是水位電阻在5-10兆歐姆的純水。
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