[發(fā)明專利]堿土金屬鹽修飾納米晶半導(dǎo)體光陽極和制備方法及其應(yīng)用無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710056934.7 | 申請日： | 2007-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN101022136A | 公開（公告）日： | 2007-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳軍;張莉;許煒;蔡鋒石;陶占良;梁靜;高峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 南開大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L23/48;H01L21/28;H01G9/20;H01M14/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 堿土金屬 修飾 納米 半導(dǎo)體 陽極 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南開大學(xué)，未經(jīng)南開大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710056934.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
