[發明專利]碳納米管場發射自旋電子源的制備方法無效
| 申請號： | 200710056040.8 | 申請日： | 2007-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN101118826A | 公開（公告）日： | 2008-02-06 |
| 發明（設計）人： | 蔣紅;宋航;李志明;繆國慶 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02;H01L21/00;C01B31/02;B82B3/00;B81C1/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 | 代理人： | 趙炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 發射 自旋 電子 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.碳納米管場發射自旋電子源的制備方法，其特征在于制備方法如下：
第一步、首先對自旋注入電極進行結構設計；
第二步、采用半導體單晶硅做為襯底，在襯底上通過磁控濺射或離子束濺射，制備Co、FeNi鐵磁性金屬及稀磁半導體自旋極化電極；
第三步、在自旋電極表面制備催化劑模板，分別采用熱化學氣相沉積技術、定域組裝技術、碳納米管中混合磁性材料粉末印刷技術制備碳納米管陣列；
第四步、通過高分辨電子顯微鏡或喇曼散射對碳納米管冷陰極進行測試表征，建立碳納米管自旋電子場發射的物理模型；
第五步、通過對碳納米管場發射自旋電子源的物理性能表征研究指導實驗，優化結構設計，選擇最佳實驗條件，獲得高效碳納米管場發射自旋電子源；
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