[發(fā)明專利]碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710054981.8 | 申請(qǐng)日： | 2007-08-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101148247A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李新建;姜衛(wèi)粉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鄭州大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B82B3/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B82B3/00;H01J9/02;H01L49/00;H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 鄭州科維專利代理有限公司 | 代理人： | 張鳳姣;蔡淑媛 |
| 地址： | 450001河*** | 國(guó)省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 硅巢狀 陣列 制備 方法 | ||
1.一種碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，包括以下步驟：將電阻率小于3.0Ω·cm的P型單晶硅片置入高壓釜，填充由濃度介于8.00～22.00mol/l的氫氟酸(HF)和0.01～0.50mol/l的硝酸鐵(Fe(NO3)3)溶液組成的腐蝕液，高壓釜的溶液體積填充度為40～95％，在溫度50～200℃下腐蝕10分鐘～36小時(shí)，制備出襯底材料硅納米孔柱陣列(Si-NPA)；其特征在于：將襯底材料硅納米孔柱陣列(Si-NPA)置入管式爐內(nèi)，在保護(hù)氣體氣氛下升溫至500～1200℃，隨載氣送入溶有金屬有機(jī)鹽的碳源溶液，原位1～60分鐘生長(zhǎng)碳納米管，反應(yīng)結(jié)束后氣體保護(hù)下將爐子降至室溫即得到具有場(chǎng)發(fā)射和濕度敏感性能的碳納米管/硅巢狀陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：保護(hù)氣體為氮?dú)狻鍤饣蚱渌栊詺怏w。
3.如權(quán)利要求1或2所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：載氣為比例可調(diào)的保護(hù)氣體和氫氣的混和物，其體積比為：
保護(hù)氣體∶氫氣＝7∶3——3∶7。
4.如權(quán)利要求3所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：碳源為乙醇、苯、二甲苯或乙二胺。
5.如權(quán)利要求1、2或4所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：金屬有機(jī)鹽濃度為0.03～0.5mol/L，金屬有機(jī)鹽為二茂鐵、二茂鈷或/和二茂鎳。
6.如權(quán)利要求5所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：碳納米管/硅巢狀陣列的場(chǎng)發(fā)射性能：開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)0.56?V/μm，外加場(chǎng)強(qiáng)為3.1V/μm時(shí)電流密度可達(dá)6.8mA/cm2。
7.如權(quán)利要求6所述的碳納米管/硅巢狀陣列的制備方法，其特征在于：碳納米管/硅巢狀陣列具有好的濕敏性能：測(cè)試頻率為100Hz時(shí)，器件響應(yīng)達(dá)2600％，響應(yīng)時(shí)間為20s，恢復(fù)時(shí)間為10s。
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