[發明專利]內凹型下柵控階梯陰極結構的平板顯示器及其制作工藝

無效

• 申請號: 200710054599.7
• 申請日: 2007-06-19
• 公開（公告）號: CN101075532A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 李玉魁
• 申請（專利權）人: 中原工學院
• 主分類號: H01J31/12
• 分類號: H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00
• 代理公司: 鄭州科維專利代理有限公司
• 代理人: 張欣棠;張國文

技術領域

本發明屬于平板顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件制作方面的內容，特別涉及一種內凹型下柵控階梯陰極結構的平板顯示器及其制作工藝。

背景技術

碳納米管具有小的尖端曲率半徑，在外加電壓的作用下，碳納米管陰極尖端附近的電場強度非常集中，迫使碳納米管不需要額外的能量就能夠發射出大量的電子，即冷場致發射現象。由于碳納米管具有良好的場致發射性能，可以作為電子源應用于場致發射顯示器件。碳納米管陰極場致發射顯示器件充分利用了碳納米管的低導通電場、高發射電流密度以及高穩定性特點，結合了傳統陰極射線管顯示器具有的高清晰圖像質量，是一種新型的平板顯示設備，早已引起了眾多科研人員的高度關注。

在三極結構的碳納米管陰極場致發射顯示器件中，柵極結構用來直接控制碳納米管陰極電子發射的重要控制元件，但由于柵極結構的加入，使得整體器件制作更加復雜。針對于柵極工作電壓居高不下，器件顯示亮度不高，碳納米管陰極的發射效率低下等缺點，還需加以認真解決。在陰極方面，需要增大碳納米管陰極的電子發射面積，使更多的碳納米管陰極參與電子發射，增加了器件的陽極工作電流，當然器件的顯示亮度就提高了；還需進一步提高碳納米管陰極的電子發射效率，使得碳納米管在較低工作電壓下能發射出更多的電子，既有利于降低柵極結構的工作電壓，同時還能提高碳納米管的發射電子束電流。

此外，在三極結構的平板場致發射顯示器件當中，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用的前提下，還需要盡可能的降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件制作。

發明內容

本發明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、制作過程穩定可靠、制作成功率高、結構簡單的內凹型下柵控階梯陰極結構的平板顯示器及其制作工藝。

本發明的目的是這樣實現的，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；設置在陽極玻璃面板上的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上設置有陰極引線層、碳納米管以及內凹型下柵控階梯陰極結構。