[發明專利]分支控倒拱陰極型結構的平板顯示器及其制作工藝

無效

• 申請號: 200710054593.X
• 申請日: 2007-06-19
• 公開（公告）號: CN101226867A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 李玉魁
• 申請（專利權）人: 中原工學院
• 主分類號: H01J31/12
• 分類號: H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00
• 代理公司: 鄭州科維專利代理有限公司
• 代理人: 張欣棠;張國文

技術領域

本發明屬于平板顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件制作方面的內容，特別涉及一種分支控倒拱陰極型結構的平板顯示器及其制作工藝。

背景技術

碳納米管陰極的場致發射顯示器件是一種新型的平板顯示設備，在顯示原理上它融合了陰極射線管顯示器與液晶顯示器二者的優勢，并在功耗、顯示品質以及成本等方面表現更佳，也是一種新興的平面顯示技術的具體體現。碳納米管是一種呈卷曲狀的石墨層結構，其直徑在幾十或十幾納米的數量級，因此具有更小的尖端曲率半徑，在外加電場強度的作用下能夠發射大量電子，而碳納米管陰極場致發射顯示器也就是充分利用了碳納米管的這一原理而進行研制成功的，早已引起了眾多科研人員的高度關注。

為了降低總體器件成本，以便于和常規的集成驅動電路相聯系，制作三極結構的場致發射顯示器件已經成為了一種必然的選擇。然而當增加了柵極結構以后也會帶來了制作工藝更加復雜等不利的影響。在目前所報道的三極場致發射顯示器件當中，大多都采用了柵極結構位于碳納米管陰極結構上方的控制模式，也就都存在著柵極電壓過高以致還難以和常規的集成電路相聯系、碳納米管陰極的發射效率不高、柵極電流過于偏大等缺點，還需要進一步的改進。由于柵極結構位于碳納米管陰極的上方，因此碳納米管陰極所發射的電子束必須要在通過柵極結構之后才能夠以更高的速度對陽極熒光粉層進行轟擊，受到柵極正電壓的影響，部分電子必然要被柵極所截留，也就是柵極電流過于偏大的主要原因。同時，受到柵極制作工藝的影響，碳納米管陰極的電子發射面積難以增大，電子發射效率也不高，這會對器件顯示亮度低造成影響。而這些問題都需眾多科研人員認真的加以思考和解決。此外，在三極結構的平板場致發射顯示器件中，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用前提下，還需降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件制作。

發明內容

本發明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、制作過程穩定可靠、制作成功率高、結構簡單的分支控倒拱陰極型結構的平板顯示器及其制作工藝。

本發明的目的是這樣實現的，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；設置在陽極玻璃面板上的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有柵極引線層、碳納米管以及分支控倒拱陰極型結構。