[發(fā)明專利]一種微納深溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710053292.5
• 申請(qǐng)日: 2007-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101131317A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉世元;史鐵林;張傳維;顧華勇;沈宏偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G01B11/22
• 分類號(hào): G01B11/22;G01B11/02;G01B11/06;G01R27/26;H01L21/00
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心
• 代理人: 曹葆青

1.一種微納深溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量方法，其步驟包括：

(A)將紅外激光束投射到被測(cè)硅片表面的深溝槽區(qū)域，紅外激光束的波長(zhǎng)為1.4μm-28μm；

(B)硅片表面的反射光束、溝槽底部的反射光束以及從其它分界面的反射光束產(chǎn)生干涉，利用紅外探測(cè)器接收該干涉信號(hào)，分析得到反射光譜特征數(shù)據(jù)；

(C)根據(jù)深溝槽結(jié)構(gòu)特點(diǎn)選取多層薄膜堆棧光學(xué)模型，描述深溝槽結(jié)構(gòu)的光學(xué)參數(shù)；

(D)利用公式(I)計(jì)算薄膜堆棧的反射系數(shù)，再利用計(jì)算得到的各波長(zhǎng)下的等效薄膜堆棧的反射系數(shù)獲得該溝槽結(jié)構(gòu)的反射光譜；

$r=\frac{M_{21}}{M_{11}}---\left(I\right)$

其中，$\left(\begin{array}{cc}{M}_{11}& M_{12}\\ M_{21}& M_{22}\end{array}\right)=D_0^{-1}\left[\underset{l=1}{\overset{N}{\mathrm{\Π}}}{D}_l{P}_l{D}_l^{-1}\right]D_s,$D₀是環(huán)境的光學(xué)特征矩陣，D_s是基底的光學(xué)特征矩陣，D_l是膜堆棧第l層的折射率和折射角的矩陣函數(shù)，P_l是第l層相位變化角的矩陣函數(shù)；

(E)通過(guò)等效光學(xué)模型反射光譜擬合反射光譜，提取得到薄膜厚度、溝槽深度和溝槽寬度。