[發(fā)明專(zhuān)利]基于碳納米管微氣泡發(fā)生器的噴印閥及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710053288.9
• 申請(qǐng)日: 2007-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101130300A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周文利;高俊雄;王耘波;朱文鋒;于軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): B41J2/14
• 分類(lèi)號(hào): B41J2/14;B41J2/16;B41J2/05
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專(zhuān)利中心
• 代理人: 曹葆青

1.一種基于碳納米管微氣泡發(fā)生器的噴印閥，其特征在于：襯底(1)為玻璃片或生長(zhǎng)有氧化層的硅片，在襯底(1)上設(shè)置有二個(gè)金電極(31、32)，在二個(gè)金電極(31、32)與襯底(1)之間鍍有鈦粘結(jié)層(21、22)，鈦粘結(jié)層(21、22)的厚度為10～30nm，二個(gè)金電極(31、32)之間的距離為1～10μm，金電極(31、32)的厚度為300～400nm；碳納米管(4)架設(shè)于金電極(31、32)之間，碳納米管(4)的直徑為10～30nm；碳納米管(4)與金電極(31、32)的接觸部位覆蓋有厚度為100～200nm的二氧化硅層(51、52)；碳納米管(4)、二個(gè)金電極(31、32)以及二氧化硅層(51、52)構(gòu)成碳納米管微氣泡發(fā)生器；

硅基底(8)上開(kāi)有直徑為30～80μm的通孔作為進(jìn)液管(7)；在硅基底(8)的表面開(kāi)有與進(jìn)液管(7)相連的凹槽(9)，凹槽(9)的長(zhǎng)度為300～900μm，寬度為40～100μm；

襯底(1)與硅基底(8)鍵合，使上述碳納米管微氣泡發(fā)生器與凹槽(9)的位置相對(duì)，形成噴嘴(6)。

2.一種制備權(quán)利要求1所述噴印閥的方法，其步驟包括

(1)按照步驟(A1)～(A3)在襯底上制作碳納米管微氣泡發(fā)生器，按照步驟(B1)～(B5)對(duì)硅基底進(jìn)行處理：

(A1)采用電子束蒸發(fā)或?yàn)R射，在清洗后的襯底上依次形成厚度為10～30nm的鈦膜和厚度為300～400nm金膜；再利用現(xiàn)有剝離工藝形成二個(gè)金電極，二個(gè)金電極之間的距離為1～10μm；

(A2)在上述金電極上加載交流電壓，再將碳納米管懸浮液滴到電極間，碳納米管懸浮液由直徑為10～30nm碳納米管與無(wú)水乙醇溶劑按0.005～0.05mg/ml比例混合而成；當(dāng)碳納米管將電極連通并定位在電極間時(shí)，撤除所加交流電壓；

(A3)在碳納米管與金電極的接觸部位形成厚度為100～300nm的二氧化硅膜，形成碳納米管微氣泡發(fā)生器；

(B1)在清冼后的硅基底的上下表面形成二氧化硅保護(hù)層，厚度為0.5～1.5μm；

(B2)分別刻蝕上述二氧化硅保護(hù)層，得到凹槽和進(jìn)液管的窗口，凹槽的窗口長(zhǎng)度為300～900μm，寬度為40～100μm，進(jìn)液管的的窗口直徑為30～80μm，進(jìn)液管中心軸與凹槽底面中心相距200～400μm；

(B3)在硅基底的上表面刻蝕得到凹槽，凹槽深度為10～30μm；

(B4)在硅基底的下表面刻蝕形成進(jìn)液管，使進(jìn)液管與凹槽相通；

(B5)去除硅基底上下表面的剩余二氧化硅保護(hù)層；

(2)將硅基底和襯底相對(duì)，鍵合形成噴嘴，得到微噴印閥。