[發(fā)明專利]金剛石膜的拋光方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710053047.4
• 申請(qǐng)日: 2007-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN101112747A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王傳新;汪建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢工程大學(xué)
• 主分類號(hào): B24B1/00
• 分類號(hào): B24B1/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 唐萬(wàn)榮

1.金剛石膜的拋光方法，其特征在于它包括如下步驟：

1)、首先在金剛石膜表面鍍涂能夠與碳形成強(qiáng)碳化物的純金屬或合金，得到表面鍍涂有純金屬或合金的金剛石膜，鍍涂層厚度為1μm～1mm，鍍涂的方法采用下述之一：(1)物理氣相沉積，(2)化學(xué)鍍，(3)粉末涂敷方法；

2)、將表面鍍涂有純金屬或合金的金剛石膜在真空爐中加熱，真空度10^-1～10^-4Pa，加熱溫度大于800℃，時(shí)間5～30分鐘，在表面形成碳化物層，碳化物層厚度為0.05～0.5μm；

3)、在機(jī)械拋光機(jī)上，采用硬度比金剛石低的SiC或Al₂O₃作為磨料，對(duì)步驟2)所得的金剛石膜進(jìn)行拋光，時(shí)間5～30分鐘，除去金剛石膜表面晶粒尖端部的凸出部分；

4)、用丙酮溶劑超聲波清洗機(jī)械拋光后的金剛石膜，干燥，然后采用氧等離子體處理3～10分鐘，對(duì)金剛石膜表面晶粒凸出部位因拋光而暴露的金剛石進(jìn)行刻蝕；然后，將金剛石膜用丙酮溶劑進(jìn)行超聲波清洗，除去附在表層的在氧等離子體刻蝕過(guò)程中形成的少量松散的氧化物；

5)、重復(fù)步驟1)～4)過(guò)程1～30次，重復(fù)步驟中氧等離子體刻蝕時(shí)間隨金剛石膜表面粗糙度降低，逐漸減少；直到金剛石膜表面粗糙度和平整度達(dá)到要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石膜的拋光方法，其特征在于：所述步驟1)在采用物理氣相沉積時(shí)，將金剛石膜預(yù)先加熱到300～500℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石膜的拋光方法，其特征在于：所述的純金屬為Ti、W、Cr、Ta、Nb、Hf或Mo。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石膜的拋光方法，其特征在于：所述的合金為Ti、W、Cr、Ta、Nb、Hf或Mo與熔點(diǎn)較低的純金屬形成的合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石膜的拋光方法，其特征在于：所述的物理氣相沉積為蒸發(fā)鍍、磁控濺射或電子束蒸發(fā)。