[發明專利]樹枝狀硒化銀納米晶薄膜材料及制備方法

無效

• 申請號: 200710052721.7
• 申請日: 2007-07-12
• 公開（公告）號: CN101121504A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 鄭直;李大鵬;水正陽;龍明強;黃保軍;趙紅曉;楊風嶺;張禮之
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: C01B19/02
• 分類號: C01B19/02;C01G5/00;B82B3/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 張安國

1.一種硒化銀納米晶材料，其特征在于：該材料為具有金屬銀表面的基底材料上原位制得的樹枝狀硒化銀納米晶組成的薄膜材料。

2.權利要求1所述的硒化銀納米晶材料的制備方法，其特征在于：制備方法是把具有金屬銀表面的基底材料，單質硒粉，以及有機醇溶劑共置于聚四氟乙烯反應釜中，在120℃-180℃溫度下直接反應3-12小時，在基底材料的金屬銀表面原位制得具有樹枝狀結構的硒化銀納米晶組成的薄膜材料，反應結束后，自然冷卻至室溫，最后產物用無水乙醇清洗，50℃以下干燥，

所述的具有金屬銀表面的基底材料是指金屬銀箔片、表面鍍了一層納米金屬銀的半導體硅、表面鍍了一層納米金屬銀的導電玻璃ITO；所述的有機醇溶劑包括甲醇、乙醇、丙醇、十二醇和苯甲醇。

3.根據權利要求2所述的硒化銀納米晶材料的制備方法，其特征在于：在半導體硅、導電玻璃ITO材料表面鍍一層納米金屬銀薄膜的方法包括電鍍、離子濺射、氣相沉積、電化學沉積、銀鏡反應。

4.根據權利要求1所述的硒化銀納米晶材料的制備方法，其特征在于：反應物中單質硒粉的濃度為0.0007-0.007克硒/毫升有機醇溶劑。

5.根據權利要求2所述的硒化銀納米晶材料的制備方法，其特征在于：具有金屬銀表面的基底材料，單質硒粉，以及有機醇溶劑共置于聚四氟乙烯反應釜中，置于有程序升溫功能的馬弗爐或臺式干燥箱中，在120℃-180℃溫度下直接反應3-12小時，馬弗爐或臺式干燥箱升溫速率為2-10℃/分鐘。

6.根據權利要求5所述的硒化銀納米晶材料的制備方法，其特征是反應結束后，關閉電源讓反應釜在馬弗爐或干燥箱中冷卻至室溫，或將反應釜取出放于空氣中自然冷卻至室溫。