[發明專利]一種電絕緣鹽修飾的雜化電極的制備方法無效
| 申請號： | 200710052548.0 | 申請日： | 2007-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101090141A | 公開（公告）日： | 2007-12-19 |
| 發明（設計）人： | 趙興中;吳素娟;韓宏偉;臺啟東;張京;徐晟;周聰華;楊英 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L51/48;H01L21/288;H01G9/042;H01G9/20;H01M4/00;H01M14/00 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 43007*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 修飾 電極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種電絕緣鹽修飾的雜化電極的制備方法，其特征在于步驟是：
①、配制5mM～0.1M的Sr(CH3COO)2溶液；
②、將TiO2納米晶膜浸入Sr(CH3COO)2溶液中，反應完成后取出用去離子水沖洗并烘干；
③、熱處理修飾后的TiO2納米晶膜，即可得到SrCO3修飾的TiO2雜化電極。
2、如權利要求1所述的一種電絕緣鹽修飾的雜化電極的制備方法，其特征在于：將TiO2納米晶膜浸入50-80度恒溫的Sr(CH3COO)2溶液中，10-35分鐘后取出用去離子水沖洗并烘干。
3、如權利要求1或2所述的一種電絕緣鹽修飾的雜化電極的制備方法，其特征在于：所述TiO2膠體可以是水熱法合成的，也可以由購買的P25粉配制成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
