[發(fā)明專利]低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710052516.0 | 申請日： | 2007-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN101078800A | 公開（公告）日： | 2007-11-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 涂峰;韓慶榮;楊晨 | 申請（專利權(quán)）人： | 長飛光纖光纜有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02;C03B37/01 |
| 代理公司： | 武漢開元專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 馬輝 |
| 地址： | 430073*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 偏振 色散 包層 抑制 光敏 光纖 及其 制備 方法 | ||
1、一種低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖，其特征是：在光纖的芯層中摻入了46％-54％氯化鍺，光纖的NA值為0.25-0.31，光纖芯層的折射率的增大Δ1值為1.8％-2.1％，光纖內(nèi)包層的下陷型折射率相對差值Δ2為-0.1％--1％。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖，其特征是：所述光纖在1550nm波長的模場直徑為3.7μm-4.7μm。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖，其特征是：所述光纖內(nèi)包層的厚度在1μm-15μm范圍內(nèi)。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖，其特征是：所述光纖的內(nèi)包層和外包層的界面處采取梯度變化的斜面設(shè)計結(jié)構(gòu)。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖，其特征是：所述光敏光纖制造的光柵的邊模抑制比達(dá)到25dB以上，光纖的偏振模色散值小于0.05ps/m。
6、一種低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖的制備方法，它包括以下步驟：
(1)首先沉積外包層和內(nèi)包層，然后沉積芯層；
(2)將沉積好的襯管進(jìn)行融縮，得到預(yù)制棒；
(3)將預(yù)制棒拉絲得到光纖；
其中光纖內(nèi)包層的下陷型折射率相對差值為-0.1％--1％，內(nèi)包層的厚度在1μm-15μm范圍內(nèi)，內(nèi)包層和外包層的界面處采取梯度變化的斜面設(shè)計結(jié)構(gòu)，在沉積芯層的過程中摻入46％-54％氯化鍺。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖的制備方法，其中在芯層的沉積過程中控制沉積的溫度小于1100℃、管內(nèi)的氣壓控制為5mbar-20mbar，沉積的速率為0.5-1.0g/min。
8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖的制備方法，其中在融縮過程中，控制融縮孔徑為2mm-7mm。
9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖的制備方法，其中拉絲時，控制拉絲溫度為1900℃-2100℃，將芯棒的芯層不圓度控制在5％之內(nèi)，內(nèi)包層不圓度控制在2％之內(nèi)。
10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的低偏振模色散包層模抑制型光敏光纖的制備方法，其中拉絲時控制拉絲張力在50g-200g范圍內(nèi)。
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