[發(fā)明專利]一種帶負(fù)反饋的電源偏置電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710052408.3 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101067753A | 公開(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄒雪城;魯力;劉政林;張程龍;寧軍;余凱 | 申請(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號: | G05F1/46 | 分類號: | G05F1/46;G05F1/56 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
| 地址: | 430074湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 負(fù)反饋 電源 偏置 電路 | ||
1、一種帶負(fù)反饋的電源偏置電路,其特征在于:該電路包括偏置產(chǎn)生電路(1),鏡像支路(2),反饋支路(3)和電流輸出支路(4);
偏置產(chǎn)生電路(1)用于產(chǎn)生與電源無關(guān)的偏置電流,它由電流源I1、I2和NMOS管n1、n2組成,NMOS管n1、n2組成電流鏡結(jié)構(gòu),兩者柵寬和寬長比均相等;電流源I1一端接高電平Vcc,另一端接n1的漏極;電流源I2的一端接高電平Vcc,另一端與NMOS管n2漏極相接,并接入鏡像支路(2);NMOS管n1的柵極接NMOS管n2的柵極,并與NMOS管n2的漏級相接;NMOS管n1和n2的源極接地;
鏡像支路(2)用于鏡像偏置產(chǎn)生電路(1)中的電流,并將電流鏡像到電流輸出支路(4);鏡像支路(2)由PMOS管p1和NMOS管n3組成;PMOS管p1的源極接高電平Vcc,其柵極與漏極相連,接入電流輸出支路(4),并接到NMOS管n3的漏極;NMOS管n3與NMOS管n2的寬長比相等,NMOS管n3的柵極與NMOS管n2的漏極相接,NMOS管n3源極接地;
反饋支路(3)用于產(chǎn)生電流反饋量,調(diào)整偏置產(chǎn)生電路(1)中的偏置電流大小;反饋支路(3)由電流源I3和等效開關(guān)SW組成;電流源I3的一端接高電平Vcc,另一端與SW一端相接,SW的另一端與偏置產(chǎn)生電路(1)中NMOS管n2的漏極相接;
電流輸出支路(4)用于輸出穩(wěn)定的偏置電流,電流輸出支路(4)由PMOS管p2組成;PMOS管p2的源極接高電平Vcc,柵極與鏡像支路(2)中PMOS管p1的柵極相接,漏極輸出偏置電流。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶負(fù)反饋的電源偏置電路,其特征在于:偏置產(chǎn)生電路(1)的具體實現(xiàn)電路由電阻R1、R2,PMOS管p3、p4和NMOS管n1、n2構(gòu)成,PMOS管p3、p4的寬長比相同;電阻R1的一端接高電平Vcc,另一端接PMOS管p3的源極,PMOS管p3為二極管連接,其柵極和漏極相連后又接到PMOS管p4的柵極和NMOS管n1的漏極;電阻R2的一端與高電平Vcc相接,另一端接到PMOS管p4的源極,PMOS管p4的柵極接PMOS管p3的柵極,漏極接到二級管連接的NMOS管n2的柵極和漏極,以及NMOS管n1的柵極、NMOS管n3的柵極和二極管連接的三極管Q1的發(fā)射極。
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶負(fù)反饋的電源偏置電路,其特征在于:反饋支路(3)的具體實現(xiàn)電路包括采樣支路和調(diào)節(jié)支路,采樣支路由PMOS管p5,電阻R4,R5組成,PMOS管p5與PMOS管p1的寬長比為m∶1,m取值范圍為2-10;PMOS管p5的源極接高電平Vcc,柵極接PMOS管p1的柵極,漏極接電阻R4的一端;電阻R4的另一端與電阻R5一端相接,并接到調(diào)節(jié)支路中NMOS管n4的柵極,R5的另一端接地;調(diào)節(jié)支路由電阻R3,NMOS管n4和三極管Q1組成;電阻R3的一端接高電平Vcc,另一端與NMOS管n4的漏極和三極管Q1的基極及集電極相接,并接入輸出控制信號模塊;NMOS管n4的柵極接采樣支路中電阻R5和電阻R4相連的一端,NMOS管n4的源極接地;三極管Q1的發(fā)射極接偏置產(chǎn)生模塊中NMOS管n2的柵極,其集電極與基極相連,接到輸出控制信號模塊和R3的一端。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶負(fù)反饋的電源偏置電路,其特征在于:m取值為2或者4。
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