[發明專利]一種封離式CO2激光器光催化電極及制作方法無效
| 申請號： | 200710052406.4 | 申請日： | 2007-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101071927A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發明（設計）人： | 王向陽 | 申請（專利權）人： | 王向陽 |
| 主分類號： | H01S3/038 | 分類號： | H01S3/038 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 441000湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 封離式 co sub 激光器 光催化 電極 制作方法 | ||
1.一種用于封離式CO2激光器的光催化電極，其特征在于：
包括鈦或鈦合金基底和采用氧化的方法直接在基底表面獲得的納米二氧化鈦薄膜。
2.權利要求1所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極，其特征還在于：在基底表面氧化所獲得的納米二氧化鈦薄膜，其組成可以是銳鈦型或金紅石型或銳鈦型+金紅石型納米二氧化鈦。
3.權利要求1所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極，其特征還在于：在基底表面氧化所獲得的納米二氧化鈦薄膜，其厚度在50nm----1200nm。
4.一種用于封離式CO2激光器的光催化電極的制作方法，其特征在于，制作工藝流程包括：下料、成型、清洗、干燥、氧化等步驟，其中氧化步驟可采用加熱直接氧化或直流陽極氧化等氧化方法，直接在基底表面獲得所需要的納米二氧化鈦薄膜。
5.權利要求4所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極的制作方法，其特征還在于：用氧化的方法直接在鈦或鈦合金基底表面獲得納米二氧化鈦薄膜。
6.權利要求4所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極的制作方法，其特征還在于：在基底表面氧化所獲得的納米二氧化鈦薄膜，其厚度在50nm----1200nm。
7.權利要求4所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極的制作方法，其特征還在于：所述的氧化步驟，可以采用加熱直接氧化或直流陽極氧化等氧化方法，直接在基底表面獲得納米二氧化鈦薄膜。
8.權利要求4所述的一種用于封離式CO2激光器的光催化電極的制作方法，其特征還在于：在基底表面氧化所獲得的納米二氧化鈦薄膜，其組成可以是銳鈦型或金紅石型或銳鈦型+金紅石型納米二氧化鈦。
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