[發(fā)明專(zhuān)利]納米Ge粒子彌散陶瓷基體光致發(fā)光材料及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710051958.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101033129A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王皓;高樂(lè);王為民;傅正義 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/10 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/10;C04B35/14;C04B35/624;C04B35/64 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人: | 唐萬(wàn)榮 |
| 地址: | 430070湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 ge 粒子 彌散 陶瓷 基體 光致發(fā)光 材料 及其 制備 方法 | ||
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于武漢理工大學(xué),未經(jīng)武漢理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710051958.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 連接交換機(jī)與接入點(diǎn)AP的適配器和網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng)
- Ge/Si襯底的GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法
- 激光輔助晶化Ge/Si襯底上Ge/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)能電池及其制作方法
- GaInP2/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)能電池
- 一種紅外LED及其制備方法
- 脊?fàn)畎l(fā)光二極管
- Ge復(fù)合襯底、襯底外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
- 脊?fàn)畎l(fā)光二極管
- 一種基于無(wú)線傳輸?shù)墓杌ぬ鼗O管及整流電路
- 一種提高剝離Si基和SOI基Ge薄膜質(zhì)量的方法





