[發(fā)明專利]一種機(jī)械疊層AlSb/CIS薄膜太陽(yáng)電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710051030.5
• 申請(qǐng)日: 2007-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101217167A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李衛(wèi);馮良桓;呂彬;蔡亞平;張靜全;黎兵;武莉莉;雷智;孫震;謝晗科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種薄膜太陽(yáng)電池，其結(jié)構(gòu)為AlSb/CIS，其特征是：AlSb作為吸收層的頂電池直接疊合在CIS作為吸收層的底電池之上，形成雙結(jié)四端的機(jī)械疊層薄膜太陽(yáng)電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlSb作為吸收層的頂電池，其特征是：在玻璃襯底和吸收層AlSb間順序添加ZnO:Al導(dǎo)電層、ZnO高阻層和CdS緩沖層，并在吸收層AlSb后增加碳納米管涂層作透明背接觸層，最后制作Ni/Al柵線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIS作為吸收層的底電池，其特征是：在玻璃襯底和吸收層CIS間沉積Mo作背電極，隨后在吸收層CIS上順序制備CdS緩沖層、ZnO高阻層、ZnO:Al導(dǎo)電層以及制作與AlSb頂電池相同形狀和大小的Ni/Al柵線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlSb作為吸收層的頂電池直接疊合在CIS作為吸收層的底電池之上，其特征是：頂電池和底電池疊合時(shí)，二者的Ni/Al柵線要對(duì)齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求2和3所述的CdS緩沖層，其特征是：可以為納米結(jié)構(gòu)，也可以為非納米結(jié)構(gòu)。