[發明專利]一種具有保護裝置的可控硅復合開關

有效

• 申請號: 200710049550.2
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN101127443A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 駱武寧;海濤
• 申請（專利權）人: 南寧微控技術有限公司
• 主分類號: H02J3/18
• 分類號: H02J3/18;H03K17/51
• 代理公司: 南寧明智專利事務所有限公司
• 代理人: 黎明天

1.一種具有保護裝置的可控硅復合開關，包括可控硅、繼電器，其特征在于：在單片機系統的可控硅觸發信號輸出電路與可控硅的功率觸發電路之間串聯接入單穩態電路。

2.根據權利要求1所述的具有保護裝置的可控硅復合開關，其特征在于：單穩態電路為555定時器、集成單穩芯片或者全數字單穩態電路。

3.根據權利要求1和2所述的復合開關后備保護裝置，其特征在于：所說的具有保護裝置的可控硅復合開關的電路包括可控硅、繼電器，它是在單片機系統與可控硅觸發電路之間串接接入單穩態電路，可控硅觸發電路之后接可控硅元件，可控硅元件接電力電容器，可控硅元件兩端并接繼電器接點，繼電器一端也與單片機系統連接。

4.根據權利要求1和2所述的復合開關后備保護裝置，其特征在于：所述的單穩態電路由電容、電阻R、施密特電路構成，其中單片機系統先接到施密特電路的輸入端，施密特電路的輸出端接電阻后分別接施密特電路和電容，施密特電路接可控硅功率觸發電路的輸入端。

5.根據權利要求1和2所述的復合開關后備保護裝置，其特征在于：所述的單穩態電路由電容、電阻、施密特電路構成，其中單片機系統先接電容后分別接電阻和施密特電路，施密特電路接電容后分別接電阻和施密特電路后與可控硅功率觸發電路的輸入端，電阻一端接地。

6.根據權利要求1和2所述的復合開關后備保護裝置，其特征在于：所述的單穩態電路以可以由二極管、電容、電阻、串聯的施密特電路和與門電路構成。其中二極管的陰極和電容的一端與單片機系統可控硅控制輸出端相連接，二極管的陽極與電容的另一端與電阻的一端以及施密特電路的輸入端相連接，電阻的另一端接共公地；施密特電路串聯后與門電路的輸入端相連，再接可控硅功率驅動電路的輸入端，可控硅功率驅動電路的輸出端接可控硅控制極控制回路。可控硅的主電路一端接電源，另一端接電力電容器，電力電容器的另一端接零線。

7.根據權利要求1和2所述的復合開關后備保護裝置，其特征在于：所述的單穩態電路也可以由電容、電阻、集成單穩芯片或者全數字單穩態電路構成，其中單片機系統接電阻和集成單穩芯片或者全數字單穩態電路的輸入端，集成單穩芯片或者全數字單穩態電路輸出端接可控硅功率觸發電路的輸入端和電容，電容另一端接地。