[發(fā)明專利]一種去除金屬硅中P、B雜質(zhì)的新方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710049165.8 | 申請日： | 2007-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN101070159A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉鋼;雷智;張靜全;彭鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都晶硅科技有限公司;四川威玻新能源材料實驗室有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
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| 地址： | 610051*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 去除 金屬硅 雜質(zhì) 新方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1一種物理法提純金屬硅的方法，包括：
高頻驅(qū)熔提純方法；氬、濕氧等離子處理。
2如權(quán)利要求1所述的方法，其中高頻驅(qū)熔提純是將熔煉室抽真空，然后采用一環(huán)狀水冷銅管施加高頻電流，在環(huán)狀銅管中心，熔融金屬硅棒，熔融區(qū)緩慢移動，利用材料在冷卻過程中分凝系數(shù)不同，從而到達(dá)分離Si元素與其它雜質(zhì)元素的目的。
3如權(quán)利要求1所述的方法，其中在熔融區(qū)引入氬、濕氧等離子，讓氧等離子與熔融金屬硅表層的P、B雜質(zhì)元素反應(yīng)，生成P、B氧化物。
4如權(quán)利要求3所述的方法，其中氬等離子由等離子噴槍方式引入。
5如權(quán)利要求3所述的方法，其中濕氧的產(chǎn)生為：氧氣從一盛水容器中通過攜帶少量水分子。濕氧經(jīng)一微小管道引入到等離子噴頭前的1-3mm處，進(jìn)入到氬等離子噴焰中，部分形成氧等離子體。
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