[發明專利]有吸收黃色特征光染料樹脂層的濾光片及使用該片的顯示器無效
| 申請號: | 200710048838.8 | 申請日: | 2007-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101285905A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 甘國工 | 申請(專利權)人: | 甘國工 |
| 主分類號: | G02B5/20 | 分類號: | G02B5/20;H01J17/49 |
| 代理公司: | 成都立信專利事務所有限公司 | 代理人: | 江曉萍 |
| 地址: | 610100四川省成都市龍泉驛區*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸收 黃色 特征 染料 樹脂 濾光 使用 該片 顯示器 | ||
1、?有吸收黃色特征光染料樹脂層的濾光片,該濾光片包括玻璃基片或透明樹脂基片,采用真空磁控濺射的方法在基片的一面鍍有減反射增透導電膜系,減反射增透導電膜系是由以銀或銀合金為導電基礎膜層、在銀或銀合金導電基礎膜層兩面對稱有低折射率透明金屬氧化物膜層Mel、在低折射率透明金屬氧化物膜層兩面對稱有高折射率透明金屬氧化物膜層Meh而形成Meh/Mel/銀/Mel/Meh或Meh/Mel/銀合金/Mel/Meh的5層膜組成的,這5層膜經過3次或4次重疊而形成在基片上的13層或17層鍍膜層,它們是鍍在基片一面上的第一層Meh、第二層Mel、第三層銀或銀合金、第四層Mel、第五層Meh、第六層Mel、第七層銀或銀合金、第八層Mel、第九層Meh、第十層Mel、第十一層銀或銀合金、第十二層Mel、第十三層Meh的13層鍍膜層或者鍍在透明樹脂基片一面上的第一層Meh、第二層Mel、第三層銀或銀合金、第四層Mel、第五層Meh、第六層Mel、第七層銀或銀合金、第八層Mel、第九層Meh、第十層Mel、第十一層銀或銀合金、第十二層Mel、第十三層Meh、第十四層Mel、第十五層銀或銀合金、第十六層Mel、第十七Meh的17層鍍膜層,該鍍膜層具有低于2Ω/□的表面電阻,鍍膜層上復合有阻止鍍膜層氧化或侵蝕的塑料膜層或樹脂層,有與鍍膜層接觸的作為引出電極的金屬薄膜,其特征在于該濾光片有吸收等離子顯示器的氖氣發出的596nm的黃色特征光的染料及調色染料與樹脂溶混形成的染料樹脂層,基片上的鍍膜層的光學特性與含有染料樹脂層的光學特性組合后,使濾光片可見光波長為380-780nm時的透過率為25%至65%,紫外光波長為380nm以下時的透過率低于15%,近紅外光波長為850nm以上時的透過率低于15%,光波長560nm至615nm處有最大黃光吸收波谷,該染料樹脂層與鍍膜層之間至少有一層樹脂層或塑料膜層或玻璃基片或透明樹脂基片相隔。
2、?如權利要求1所述的有吸收黃色特征光染料樹脂層的濾光片,其特征在于減反射增透導電膜系中高折射率的透明金屬氧化物是Sb2O3、SnO2、PbO、Ta2O5、Nb2O5、ZnO、TiO2、CeO2、摻鋁ZnO、AZOY、ZrO2、SnO3中的至少一種,減反射增透導電膜系中低折射率的金屬氧化物是SiO2、MgO、Sb2O3、SiO、SnO2、Al2O3、Y2O3、La2O3、In2O3、摻鋁ZnO、NiCrOx、ZnO、ZrO2、ITO、AZOY中的至少一種,NiCrOx中的x為1~6,AZOY為摻鋁、釔氧化鋅。
3、?如權利要求2所述的有吸收黃色特征光染料樹脂層的濾光片,其特征在于減反射增透導電膜系中最優選的高折射率透明金屬氧化物是TiO2、Nb2O5、SnO2中的至少一種,減反射增透導電膜系中最優選的低折射率透明金屬氧化物是ITO、AZOY、摻鋁ZnO、MgO、Al2O3中的至少一種。
4、?如權利要求1或2或3所述的有吸收黃色特征光染料樹脂層的濾光片,其特征在于在三次或四次重疊在透明樹脂基片上形成的13層或17層鍍膜層的各層膜層厚度由基片向最外層依次為以下厚度范圍:Meh為10至150nm,Mel為1.0至30nm,銀或銀合金為5至30nm,Mel為1.0至30nm,Meh為10至200nm,Mel為1.0至30nm,銀或銀合金為5至30nm,Mel為1.0至30nm,Meh為10至200nm,Mel為1.0至30nm,銀或銀合金為5至30nm,Mel為1.0至30nm,Meh為10至200nm,Mel為1.0至30nm,銀或銀合金為5至30nm,Mel為1.0至30nm,Meh為10至150nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于甘國工,未經甘國工許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710048838.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:散熱模組
- 下一篇:基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室





