[發(fā)明專利]一種液晶顯示器陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710048135.5
• 申請日: 2007-11-13
• 公開（公告）號: CN101435960A
• 公開（公告）日: 2009-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G03F7/00;H01L21/027
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 薛 琦

1.一種制造液晶顯示器陣列基板的方法，其特征是，所述方法分為如下步驟：

步驟一：在潔凈的基板(101)上依次沉積柵極金屬層(102)、第一絕緣層(103)、有源層(104)，并對有源層表面進(jìn)行摻雜，然后在薄膜最上層涂布第一層光刻膠(201)，利用第一張掩模版(1001)進(jìn)行曝光，經(jīng)過顯影去除曝光區(qū)域之光刻膠，進(jìn)行加熱工藝，使光刻膠具有一定的流動性，進(jìn)行充分流動之后使得Reflow圖形曝光區(qū)(1004)的光刻膠比遮光區(qū)域光刻膠厚度更薄，刻蝕形成柵極配線及柵電極，去除不需要區(qū)域之絕緣層、有源層、柵極金屬層之圖形，第一次灰化之后在有光刻膠保護(hù)晶體管有源區(qū)的條件下，刻蝕出其他區(qū)域?qū)щ妼樱渲校摰谝粡堁谀０?1001)在需要保留部分光刻膠的區(qū)域?qū)?yīng)的掩模版上設(shè)置有小間隔網(wǎng)格或者條狀結(jié)構(gòu)，以便經(jīng)曝光后在該區(qū)域留下點狀或柵格狀構(gòu)造的該Reflow圖形曝光區(qū)(1004)，而在需要完全曝光的區(qū)域?qū)?yīng)的掩模版上留有完全透光的區(qū)域，

步驟二：在基板上依次沉積數(shù)據(jù)導(dǎo)線層(105)、第二絕緣層(106)，然后沉積第二層光刻膠(202)，采用第二張GTM或者HTM掩模版，經(jīng)顯影以及Reflow工藝后形成三種厚度之光刻膠，通過刻蝕工藝刻蝕去除晶體管溝道部分之第二絕緣膜，去除掉無導(dǎo)電圖形區(qū)之第二絕緣膜；刻蝕去除之下暴露于表面之?dāng)?shù)據(jù)導(dǎo)線層圖形；灰化一次，露出接觸孔部分之第二絕緣膜；對暴露于表面之第二絕緣膜進(jìn)行刻蝕，露出接觸孔部分之?dāng)?shù)據(jù)導(dǎo)線層；去除表面殘留光刻膠，

步驟三，在基板上沉積像素電極層(107)，在此之上沉積第三層光刻膠(203)，利用第三塊掩模版進(jìn)行第三次曝光，顯影刻蝕之后形成像素電極層。

2.如權(quán)利要求1所述的制造液晶顯示器陣列基板的方法，其特征是，利用步驟一將需要保留部分光刻膠的區(qū)域金屬暴露于表面，晶體管部分有源層暴露于表面。

3.如權(quán)利要求1所述的制造液晶顯示器陣列基板的方法，其特征是，柵電極層、數(shù)據(jù)導(dǎo)線電極層之上的接觸孔部分采用曝光及后處理工藝制作。

4.如權(quán)利要求1所述的制造液晶顯示器陣列基板的方法，其特征是，所述液晶顯示器陣列基板包括：玻璃基板、柵極掃描線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、晶體管源漏電極、像素電極，所述柵電極與柵極掃描線電氣連接，所述柵電極層所用材料為AlNd、AI、Cu、MO、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合，所述第一柵絕緣層和第二絕緣層為SiO2、SiNx或SiOxNy材料之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合，所述數(shù)據(jù)線層金屬為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合。