[發明專利]一種制備Fe－Mn－Si磁性形狀記憶合金薄膜的方法無效
| 申請號： | 200710048081.2 | 申請日： | 2007-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN101202144A | 公開（公告）日： | 2008-06-18 |
| 發明（設計）人： | 何亮;錢士強 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | H01F10/12 | 分類號： | H01F10/12;H01F41/18 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 | 代理人： | 吳澤群 |
| 地址： | 200233*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 fe mn si 磁性 形狀 記憶 合金 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜的方法，其特征在于：該Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜采用磁控濺射法中的兩靶共濺法制得。
2.如權利要求所述的一種制備Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜的方法，其特征在于：所述的磁控濺射法通過采用兩靶共濺的方式制備Fe-Mn-Si薄膜，其具體方法是：選擇合金成分為Fe50Mn50-Fe70Mn30的合金制得直徑為50-60mm、厚度1-5mm的合金靶、選擇直徑為50-60mm，厚度1mm單晶硅為單晶硅靶；采用純銅片或玻璃作為基片，將Fe-Mn合金靶和單晶硅靶置于距基片50cm、且與基片取向為60度位置，在濺射背底真空度＜10-5Pa條件下，濺射過程中保持Ar氣壓為0.1-1.0Pa，采用兩靶共濺的方式在基片上沉積制得適用的Fe-Mn-Si薄膜。
3.如權利要求所述的一種制備Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜的方法，其特征在于：濺射時FeMn合金靶功率為50-150W，單晶Si靶為20-80W。
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